[實(shí)用新型]一種超寬帶矢量調(diào)制芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420355241.3
• 申請日: 2014-06-30
• 公開（公告）號: CN203951449U
• 公開（公告）日: 2014-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳陽;童偉;胡柳林;呂繼平;康婕;文劍瀾;歐陽耀果;滑育楠;楊洲
• 申請（專利權(quán)）人: 成都嘉納海威科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H03H7/21
• 分類號: H03H7/21
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及微波單片集成電路領(lǐng)域，具體涉及一種超寬帶矢量調(diào)制芯片。

背景技術(shù)

在微波電路中常會對信號的幅度、相位進(jìn)行加權(quán)控制。矢量調(diào)制芯片是一種新的調(diào)制部件，逐漸應(yīng)用于射頻、微波等各種系統(tǒng)中，已成為一種重要器件。

目前，矢量調(diào)制芯片的使用相對帶寬只有百分之十至百分之十五左右，在一定程度上限制了矢量調(diào)制芯片的應(yīng)用，所以亟需一種超寬帶矢量調(diào)制芯片以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種超寬帶矢量調(diào)制芯片，該超寬帶矢量調(diào)制芯采用相對帶寬較寬的器件實(shí)現(xiàn)寬帶頻率，其中功分器采用威爾金森結(jié)構(gòu)，合成器采用蘭格橋結(jié)構(gòu)，該超寬帶矢量調(diào)制芯片在贗高電子遷移率晶體管和蘭格橋之間加入適當(dāng)?shù)碾娮瑁瑥亩档途w管寄生參數(shù)隨頻率變化的影響，加大了原有的工作頻率，很大程度上拓寬了其使用帶寬。

為達(dá)到上述要求，本發(fā)明采取的技術(shù)方案是：提供一種超寬帶矢量調(diào)制芯片，包括功分器、合成器，及兩個衰減器，功分器輸入端為該超寬帶矢量調(diào)制芯片輸入端，合成器輸出端為該超寬帶矢量調(diào)制芯片輸出端，功分器輸出端與兩個衰減器輸入端相連接，兩個衰減器輸出端與合成器輸入端相連接；功分器該采用威爾金森結(jié)構(gòu)，該合成器采用蘭格橋結(jié)構(gòu)；衰減器包括衰減器蘭格橋和贗高電子遷移率晶體管，該衰減器蘭格橋和贗高電子遷移率晶體管之間設(shè)置有衰減器電阻。

該超寬帶矢量調(diào)制芯片在電路設(shè)計(jì)過程中，從開始就將其定位為可以實(shí)現(xiàn)寬帶工作頻率應(yīng)用的芯片，在設(shè)計(jì)各子電路過程中，均考慮頻率變化對器件功能的影響，并且采用相對帶寬較寬的器件實(shí)現(xiàn)寬帶頻率，其中功分器采用威爾金森結(jié)構(gòu)，合成器采用蘭格橋結(jié)構(gòu)，該超寬帶矢量調(diào)制芯片在贗高電子遷移率晶體管和蘭格橋之間加入適當(dāng)?shù)碾娮瑁瑥亩档途w管寄生參數(shù)隨頻率變化的影響，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)寬帶特性，使該芯片可以覆蓋十四吉赫至二十四吉赫頻率范圍，具有較高的移相衰減精度。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本申請的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，在這些附圖中使用相同的參考標(biāo)號來表示相同或相似的部分，本申請的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本申請，并構(gòu)成對本申請的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1示意性地示出了根據(jù)本申請一個實(shí)施例的超寬帶矢量調(diào)制芯片的電路圖。

圖2示意性地示出了根據(jù)本申請一個實(shí)施例的超寬帶矢量調(diào)制芯片的衰減器的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3示意性地示出了根據(jù)本申請一個實(shí)施例的超寬帶矢量調(diào)制芯片的輸出合成信號相位幅度關(guān)系圖。

圖4示意性地示出了傳統(tǒng)的衰減器的電路圖。

圖5示意性地示出了贗高電子遷移率晶體管的電路圖。

圖6示意性地示出了贗高電子遷移率晶體管的簡化電路圖。

其中：1、功分器；2、衰減器；3、合成器；4、贗高電子遷移率晶體管；5、衰減器電阻；6、衰減器蘭格橋。

具體實(shí)施方式

為使本申請的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例，對本申請作進(jìn)一步地詳細(xì)說明。

在以下描述中，對“一個實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“一個示例”、“示例”等等的引用表明如此描述的實(shí)施例或示例可以包括特定特征、結(jié)構(gòu)、特性、性質(zhì)、元素或限度，但并非每個實(shí)施例或示例都必然包括特定特征、結(jié)構(gòu)、特性、性質(zhì)、元素或限度。另外，重復(fù)使用短語“根據(jù)本申請的一個實(shí)施例”雖然有可能是指代相同實(shí)施例，但并非必然指代相同的實(shí)施例。

為簡單起見，以下描述中省略了本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的某些技術(shù)特征。

根據(jù)本申請的一個實(shí)施例，提供一種超寬帶矢量調(diào)制芯片，如圖1所示，包括功分器1、合成器3及兩個衰減器2，功分器1輸入端為超寬帶矢量調(diào)制芯片輸入端，合成器3輸出端為超寬帶矢量調(diào)制芯片輸出端，功分器1輸出端與兩個衰減器2輸入端相連接，兩個衰減器2輸出端與合成器3輸入端相連接，該合成器3可以同時實(shí)現(xiàn)功率合成和九十度的相位差別，功分器1將信號功分為正交的兩路信號，經(jīng)過兩個衰減器2后，合成為輸出信號，通過控制兩路正交信號的幅度，達(dá)到改變輸出信號幅度、相位的目的。

根據(jù)本申請的一個實(shí)施例，提供一種超寬帶矢量調(diào)制芯片，如圖1所示，功分器1采用威爾金森結(jié)構(gòu)，合成器3采用蘭格橋結(jié)構(gòu)；衰減器2包括衰減器蘭格橋6和贗高電子遷移率晶體管4，衰減器蘭格橋6和贗高電子遷移率晶體管4之間設(shè)置有衰減器電阻5；該衰減器電阻5可以降低晶體管寄生參數(shù)隨頻率變化的影響，從而實(shí)現(xiàn)寬帶特性，從而使得矢量調(diào)制芯片可以覆蓋十四至二十四吉赫頻率范圍，并且具有較高的移相衰減精度。