[實用新型]非揮發性的光學記憶單元結構有效
| 申請號： | 201420354906.9 | 申請日： | 2014-06-30 |
| 公開（公告）號： | CN203941358U | 公開（公告）日： | 2014-11-12 |
| 發明（設計）人： | 李燕;徐超;余輝;楊建義;江曉清 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | G02F1/01 | 分類號： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 揮發性 光學 記憶 單元 結構 | ||
【權利要求書】：
1.?一種非揮發性的光學記憶單元結構，遂穿層（4）、電荷存儲層（3）、阻擋層（2）和控制柵層（1）依次生長于光波導（5）上，其特征在于：還包括用于增大傳輸模式的有效折射率調制范圍的石墨烯層（9）。
2.?根據權利要求1所述的一種非揮發性的光學記憶單元結構，其特征在于：所述的石墨烯層（9）放置于遂穿層（4）和光波導（5）之間，作為導電溝道。
3.?根據權利要求1所述的一種適非揮發性的光學記憶單元結構，其特征在于：所述的石墨烯層（9）放置于遂穿層（4）和電荷存儲層（3）構成的電容之間或者電荷存儲層（3）和控制柵層（1）構成的電容之間。
4.?根據權利要求1所述的一種非揮發性的光學記憶單元結構，其特征在于：所述的石墨烯層（9）代替控制柵層（1）。
5.?根據權利要求1所述的一種非揮發性的光學記憶單元結構，其特征在于：所述的石墨烯層（9）代替電荷存儲層（3）。
6.?根據權利要求1所述的一種非揮發性的光學記憶單元結構，其特征在于：所述的光學記憶單元應用于光開關、微環、Y分支器、Mach-Zehder干涉器或耦合器。
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