[實用新型]一種用于SiC/GaN MOS管的驅動測試裝置

有效

• 申請號: 201420353997.4
• 申請日: 2014-06-30
• 公開（公告）號: CN203909231U
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 曾奕彰;曾春保;王定富;鐘偉龍
• 申請（專利權）人: 廈門科華恒盛股份有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 福州元創專利商標代理有限公司 35100
• 代理人: 蔡學俊

1.一種用于SiC/GaN?MOS管的驅動測試裝置，包括一驅動信號輸出端和一MOS管，其特征在于：還包括一第一電阻選擇模塊、一二極管模塊、一第二電阻選擇模塊和一電阻選擇控制模塊；所述第一電阻選擇模塊的輸入端與所述第二電阻選擇模塊的輸入端相連接至所述驅動信號輸出端，所述第一電阻選擇模塊的輸出端接至所述二極管模塊的輸入端，所述第二電阻選擇模塊的輸出端與所述二極管模塊的輸出端相連接至所述MOS管的控制端，所述電阻選擇控制模塊的第一輸出端接至所述第一電阻選擇模塊的控制端，所述電阻選擇控制模塊的第二輸出端接至所述第二電阻選擇模塊的控制端。

2.根據權利要求1所述的一種用于SiC/GaN?MOS管的驅動測試裝置，其特征在于：所述第一電阻選擇模塊包括第一至第n隔離開關，第一至第3n電阻，所述第一至第n電阻的一端分別接至第一至第n隔離開關的第一輸入端，所述第一至第n電阻的另一端相連接至一直流電源，所述第n+1至第2n電阻的一端分別接至第一至第n隔離開關的第二輸入端，所述第n+1至第2n電阻的另一端作為所述第一電阻選擇模塊的控制端并接至所述電阻選擇控制模塊，所述第一至第n隔離開關中的前一隔離開關的第二輸出端連接至后一隔離開關的第一輸出端，所述第一隔離開關的第一輸出端作為所述第一電阻選擇模塊的輸出端并接至所述二極管模塊的輸入端，所述第n隔離開關的第二輸出端作為所述第一電阻選擇模塊的輸入端并接至所述驅動信號輸出端，所述第2n+1至第3n電阻分別并聯連接在所述第一至第n隔離開關的第一輸出端和第二輸出端，其中，n為不小于1的整數。

3.根據權利要求1所述的一種用于SiC/GaN?MOS管的驅動測試裝置，其特征在于：所述第二電阻選擇模塊包括第一至第m電阻模塊，其中前一電阻模塊的輸出端連接至后一電阻模塊的第一輸入端，所述第一電阻模塊的第一輸入端作為所述第二電阻選擇模塊的輸入端，所述第m電阻模塊的輸出端作為所述第二電阻選擇模塊的輸出端，所述第一至第m電阻模塊的第二輸入端作為第二電阻選擇模塊的控制端并接至所述電阻選擇控制模塊，其中，m為不小于1的整數。

4.根據權利要求3所述的一種用于SiC/GaN?MOS管的驅動測試裝置，其特征在于：所述第一至第m電阻模塊均包括第1至第2隔離開關、第1至第5電阻；所述第1電阻和第2電阻的一端相連接至一直流電源，所述第1電阻和第2電阻的另一端分別接至第1隔離開關和第2隔離開關的第一輸入端，所述第1隔離開關和第2隔離開關的第二輸入端分別接至第3電阻和第4電阻的一端，所述第3電阻和第4電阻的另一端相連并作為第m電阻模塊的第二輸入端接至所述電阻選擇控制模塊，所述第1隔離開關的第一輸出端接至第2隔離開關的第二輸出端和第5電阻的一端，所述第1隔離開關的第二輸出端接至第2隔離開關的第一輸出端和第5電阻的另一端。

5.根據權利要求1所述的一種用于SiC/GaN?MOS管的驅動測試裝置，其特征在于：所述電阻選擇控制模塊為CPU或MCU。

6.根據權利要求1所述的一種用于SiC/GaN?MOS管的驅動測試裝置，其特征在于：還包括一人機交互模塊，所述人機交互模塊接至所述電阻選擇控制模塊輸入端，所述人機交互模塊為LCD屏或觸摸屏。

7.根據權利要求1所述的一種用于SiC/GaN?MOS管的驅動測試裝置，其特征在于：所述二極管模塊為單個二極管或者為多個二極管串并聯組合并具備單向導通特性的二極管組，所述二極管陰極或者二極管組等效陰極作為二極管模塊的輸入端，二極管陽極或者二極管組等效陽極作為二極管模塊的輸出端。

8.根據權利要求1所述的一種用于SiC/GaN?MOS管的驅動測試裝置，其特征在于：所述的MOS管為基于SiC材料的MOS管或基于GaN材料的MOS管。

9.根據權利要求2所述的一種用于SiC/GaN?MOS管的驅動測試裝置，其特征在于：所述第一至第n隔離開關為光電耦合器件。

10.根據權利要求4所述的一種用于SiC/GaN?MOS管的驅動測試裝置，其特征在于：所述第1至第2隔離開關為光電耦合器件。