[實用新型]純化四氯化硅的系統

有效

• 申請號: 201420351604.6
• 申請日: 2014-06-26
• 公開（公告）號: CN203959834U
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發明（設計）人: 趙雄;楊永亮;姜利霞;嚴大洲;萬燁
• 申請（專利權）人: 中國恩菲工程技術有限公司
• 主分類號: C01B33/107
• 分類號: C01B33/107
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 李志東

1.一種純化四氯化硅的系統，其特征在于，包括：

精餾塔本體，所述精餾塔本體內自上而下依次限定出輕組分脫除區、光化學反應精餾區、精制區和重組分脫除區；

粗四氯化硅入口，所述粗四氯化硅入口設置在所述輕組分脫除區和光化學反應精餾區之間；

氯氣入口，所述氯氣入口設置在所述光化學反應精餾區和所述精制區之間；

四氯化硅出口，所述四氯化硅出口設置在所述精制區與所述重組分脫除區之間；

尾氣出口，所述尾氣出口設置在所述輕組分脫除區頂部；

重組分出口，所述重組分出口設置在所述重組分脫除區底部；以及

光源組件，所述光源組件設置在所述光化學反應精餾區的外壁上。

2.根據權利要求1所述的純化四氯化硅的系統，其特征在于，所述光源組件包括多個光源，并且所述光源的波長為300～400納米。

3.根據權利要求2所述的純化四氯化硅的系統，其特征在于，所述光源為高壓汞燈或低壓汞燈。

4.根據權利要求3所述的純化四氯化硅的系統，其特征在于，所述光源為高壓汞燈。

5.根據權利要求2所述的純化四氯化硅的系統，其特征在于，所述光化學反應精餾區的外部設有沿軸向方向間隔開的多個光源，所述多個光源在所述光化學反應精餾區的外部錯開分布。

6.根據權利要求5所述的純化四氯化硅的系統，其特征在于，所述光源為長條形，且沿水平方向布置，相鄰的兩個所述光源在軸向方向的距離為200～400毫米。

7.根據權利要求6所述的純化四氯化硅的系統，其特征在于，相鄰的兩個所述光源的夾角為30～60度。

8.根據權利要求1所述的純化四氯化硅的系統，其特征在于，所述光化學反應精餾區的高度為1000～2000毫米。

9.根據權利要求8所述的純化四氯化硅的系統，其特征在于，所述光化學反應精餾區的內件為散堆填料，其中，所述填料材質為硼硅玻璃。

10.根據權利要求1所述的純化四氯化硅的系統，其特征在于，所述輕組分脫除區和所述重組分脫除區的內件分別獨立地為金屬絲網規整填料，并且理論板數為5～10塊。

11.根據權利要求1所述的純化四氯化硅的系統，其特征在于，所述精制區的內件為金屬絲網規整填料，并且理論板數為10～20塊。

12.根據權利要求1所述的純化四氯化硅的系統，其特征在于，進一步包括：

第一冷卻裝置，所述第一冷卻裝置具有尾氣入口、冷凝液出口和不凝氣出口，所述尾氣入口與所述尾氣出口相連，所述冷凝液出口與所述輕組分脫除區相連；以及

第二冷卻裝置，所述第二冷卻裝置具有輕組分入口和經過冷卻的輕組分出口，所述輕組分入口與所述冷凝液出口相連。

13.根據權利要求1所述的純化四氯化硅的系統，其特征在于，進一步包括：

第三冷卻裝置，所述第三冷卻裝置具有精制四氯化硅入口和純化的四氯化硅出口，所述精制四氯化硅入口與所述四氯化硅出口相連；以及

第四冷卻裝置，所述第四冷卻裝置與所述重組分出口相連，且適于對所述重組分進行第四冷卻處理。