[實用新型]一種AlGaInP發(fā)光二極管外延片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420351508.1 | 申請日： | 2014-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN204102925U | 公開（公告）日： | 2015-01-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 田海軍;馬淑芳;韓蕊蕊;關(guān)永莉;李天保 | 申請（專利權(quán)）人： | 山西飛虹微納米光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/14 | 分類號： | H01L33/14;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京方圓嘉禾知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11385 | 代理人： | 董芙蓉 |
| 地址： | 041600 山*** | 國省代碼： | 山西;14 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 algainp 發(fā)光二極管 外延 | ||
1.一種AlGaInP發(fā)光二極管外延片，其特征在于：所述外延片的結(jié)構(gòu)為：在圖案化后的n-GaAs襯底上外延生長n-GaAs納米棒核層(1)，然后在n-GaAs納米棒側(cè)壁上依次外延生長n-InAlP限制層(2)，
(AlxGa1-x)0.5In0.5P/(AlyGa1-y)0.5In0.5P有源層(3)，p-InAlP限制層(4)，p-GaP覆蓋層(5)，所述外延片采用n-GaAs核-多殼層結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlGaInP發(fā)光二極管外延片，其特征在于：所述外延片采用n-GaAs納米棒作為核層，納米棒的長徑比為0.8-5。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlGaInP發(fā)光二極管外延片，其特征在于：所述外延片采用n-InAlP作為n限制層，n限制層用Si2H6作為n型摻雜源；用p-InAlP層作為p限制層，p限制層用Cp2Mg作為p型摻雜源。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlGaInP發(fā)光二極管外延片，其特征在于：所述外延片采用(AlxGa1-x)0.5In0.5P/(AlyGa1-y)0.5In0.5P多量子阱層作為有源層，0<x<0.3,0.5<y<1，量子阱個數(shù)為5-15個。
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