[實用新型]輸出驅(qū)動級功率MOS器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420348712.8
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN203950812U
• 公開（公告）日: 2014-11-19
• 發(fā)明（設計）人: 崔永明;張干;王作義;彭彪
• 申請（專利權）人: 四川廣義微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L27/02
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 梁田

1.輸出驅(qū)動級功率MOS器件，包括硅片本體和硅片本體上的柵極（3），柵極與硅片本體之間具有柵氧絕緣層（7），位于柵氧絕緣層下方兩側(cè)的源極（1）和漏極（2），及位于源極和漏極周圍及下方的外延層（4）；

其特征在于，所述外延層上還具有第一注入?yún)^(qū)（5）和第二注入?yún)^(qū)（6），所述第二注入?yún)^(qū)位于第一注入?yún)^(qū)（5）和源極（1）之間，所述第二注入?yún)^(qū)的注入類型與外延層（4）相同，且注入濃度大于外延層，第一注入?yún)^(qū)（5）的注入類型與外延層相反，所述柵極與第一注入?yún)^(qū)通過連接孔連接。

2.?如權利要求1所述的輸出驅(qū)動級功率MOS器件，其特征在于，所述第二注入?yún)^(qū)（6）和第一注入?yún)^(qū)（5）緊鄰。

3.?如權利要求1所述的輸出驅(qū)動級功率MOS器件，其特征在于，所述源極和漏極分布于柵極（3）兩側(cè)，所述第一注入?yún)^(qū)（5）和第二注入?yún)^(qū)（6）位于柵極的至少一端。

4.?如權利要求1所述的輸出驅(qū)動級功率MOS器件，其特征在于，外延層上設置的所述第二注入?yún)^(qū)（6）包圍源極（1）和漏極（2）形成環(huán)狀。

5.?如權利要求1所述的輸出驅(qū)動級功率MOS器件，其特征在于，所述柵極（3）與第一注入?yún)^(qū)（5）之間具有金屬層，所述柵極與金屬層、金屬層與第一注入?yún)^(qū)（5）之間通過連接孔連接，所述金屬層與硅片本體之間由場氧化層隔離。

6.?如權利要求1所述的輸出驅(qū)動級功率MOS器件，其特征在于，所述柵極為多晶硅，所述柵氧絕緣層（7）和場氧化層為二氧化硅。