[實用新型]一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420347325.2 | 申請日： | 2014-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN203910786U | 公開（公告）日： | 2014-10-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鐘怡 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;G01R31/02 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 100176 北京市大興*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導(dǎo)體 測試 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)至少包括：
第一測試結(jié)構(gòu)，所述第一測試結(jié)構(gòu)包括：
兩個第一有源區(qū)，所述第一有源區(qū)包括第一端和第二端；
多晶硅柵極，位于兩第一有源區(qū)之間的柵氧化層上，所述多晶硅柵極的每一端分別與一所述第一有源區(qū)的第一端重疊；
第一接觸插塞，位于所述第一有源區(qū)中，其中，所述第一接觸插塞的一部分位于所述第一有源區(qū)和多晶硅柵極的重疊區(qū)域；
第二接觸插塞，完全位于至少一所述第一有源區(qū)中，且位于所述第一有源區(qū)的第二端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述兩第一有源區(qū)的第二端均設(shè)置有第二接觸插塞。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述一第一有源區(qū)的第二端設(shè)置有第二接觸插塞，另一第一有源區(qū)的第二端設(shè)置有第一接觸插塞。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)還包括第二測試結(jié)構(gòu)，所述第二測試結(jié)構(gòu)包括第二有源區(qū)和第一接觸插塞，所述第一接觸插塞位于所述第二有源區(qū)的兩端；所述第二有源區(qū)一端的第一接觸插塞與位于所述第一有源區(qū)第二端的第一接觸插塞通過多晶硅柵極相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)還包括第三測試結(jié)構(gòu)，所述第三測試結(jié)構(gòu)包括：
第三有源區(qū)，包括第一端和第二端；
第一接觸插塞，位于所述第三有源區(qū)的第一端；
第二接觸插塞，位于所述第三有源區(qū)的第二端；
所述第三有源區(qū)中的第一接觸插塞與所述第二有源區(qū)中的第一接觸插塞通過多晶硅柵極相連；所述第三有源區(qū)中的第二接觸插塞與所述第一有源區(qū)中的第二接觸插塞通過金屬線相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)還包括第四測試結(jié)構(gòu)，所述第四測試結(jié)構(gòu)包括第四有源區(qū)和第二接觸插塞，所述第二接觸插塞位于所述第四有源區(qū)的兩端；所述第四有源區(qū)中的第二接觸插塞與所述第一有源區(qū)中的第二接觸插塞通過金屬線相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一測試結(jié)構(gòu)包括至少兩個互相平行，兩端對應(yīng)的所述第一有源區(qū)；所述第一有源區(qū)的所述第二端均為第二接觸插塞。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)包括第一測試結(jié)構(gòu)、第二測試結(jié)構(gòu)、第三測試結(jié)構(gòu)或第四測試結(jié)構(gòu)，所述第一測試結(jié)構(gòu)、第二測試結(jié)構(gòu)或第三測試結(jié)構(gòu)通過多晶硅柵極或金屬線順次連接組成串聯(lián)結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)中包括至少兩長度一致，兩端對齊的第一有源區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一接觸插塞和第二接觸插塞中的金屬為鎢、銅、鋁或鉬。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述串聯(lián)結(jié)構(gòu)的最末端為第二接觸插塞，且通過金屬線與一測試焊墊連接，構(gòu)成測試端口。
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