[實(shí)用新型]垂直MOS功率器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420347108.3
• 申請日: 2014-06-27
• 公開（公告）號: CN204067369U
• 公開（公告）日: 2014-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃寶偉;肖秀光;劉鵬飛;吳海平
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波比亞迪半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種垂直MOS功率器件，其特征在于，所述垂直MOS功率器件為平面型垂直MOS功率器件，包括：

耐壓層；

多個(gè)第一摻雜類型阱區(qū)，所述多個(gè)第一摻雜類型阱區(qū)位于所述耐壓層的頂部；

多個(gè)第二摻雜類型源區(qū)，所述多個(gè)第二摻雜類型源區(qū)位于所述多個(gè)第一摻雜類型阱區(qū)中；

平面柵氧層，所述平面柵氧層位于所述耐壓層之上，且所述平面柵氧層的兩端與相鄰兩個(gè)所述第二摻雜類型源區(qū)分別接觸；

平面柵極層，所述平面柵極層位于所述平面柵氧層之上，其中，所述平面柵極層不覆蓋或者部分覆蓋所述耐壓層上方對應(yīng)位置；

絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層覆蓋所述平面柵氧層、所述平面柵極層以及與所述平面柵氧層接觸的兩個(gè)所述第二摻雜類型源區(qū)；

第一電極，所述第一電極位于所述絕緣介質(zhì)層之上；以及

第二電極，所述第二電極位于所述耐壓層之下，所述第二電極為完全覆蓋耐壓層的金屬層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直MOS功率器件，其特征在于，所述多個(gè)第一摻雜類型阱區(qū)與所述耐壓層的摻雜類型相反，所述第二摻雜類型源區(qū)與所述耐壓層的摻雜類型相同，并且，所述第一電極和所述第二電極極性相反。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直MOS功率器件，其特征在于，所述金屬層為鋁、鈦、鎳或銀。

4.一種垂直MOS功率器件，其特征在于，所述垂直MOS功率器件為溝槽型垂直MOS功率器件，包括：

耐壓層；

第一摻雜類型阱區(qū)，所述第一摻雜類型阱區(qū)位于所述耐壓層的頂部；

第二摻雜類型源區(qū)，所述第二摻雜類型源區(qū)位于第一摻雜類型阱區(qū)中；

浮置阱區(qū)，所述浮置阱區(qū)位于所述耐壓層的頂部且位于所述第一摻雜類型阱區(qū)附近，所述浮置阱區(qū)與所述第一摻雜類型阱區(qū)摻雜類型相同；

溝槽柵氧層，所述溝槽柵氧層位于所述耐壓層的頂部，所述溝槽柵氧層的第一側(cè)壁與所述第一摻雜類型阱區(qū)和所述第二摻雜類型源區(qū)接觸，所述溝槽柵氧層的第二側(cè)壁與所述浮置阱區(qū)接觸；

溝槽柵極層，所述溝槽柵極層充滿所述溝槽柵氧層內(nèi)部，其中，所述溝槽柵極層與所述溝槽柵氧層不覆蓋或者部分覆蓋所述浮置阱區(qū)的上表面；

絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層覆蓋所述平面柵氧層、所述平面柵極層、所述浮置阱區(qū)以及所述第二摻雜類型源區(qū)；

第一電極，所述第一電極位于所述絕緣介質(zhì)層之上；以及

第二電極，所述第二電極位于所述耐壓層之下，所述第二電極為完全覆蓋耐壓層的金屬層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的垂直MOS功率器件，其特征在于，所述多個(gè)第一摻雜類型阱區(qū)與所述耐壓層的摻雜類型相反，所述第二摻雜類型源區(qū)與所述耐壓層的摻雜類型相同，并且，所述第一電極和所述第二電極極性相反。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的垂直MOS功率器件，其特征在于，所述金屬層為鋁、鈦、鎳或銀。