[實用新型]一種陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201420344323.8
• 申請日: 2014-06-25
• 公開（公告）號: CN203930287U
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 程鴻飛;喬勇;先建波;李文波;李盼
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本實用新型涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術

TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜場效應晶體管液晶顯示器)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的顯示器市場中占據主導地位。

TFT-LCD包括陣列基板、彩膜基板以及位于二者之間的液晶層；其中，如圖1所示，陣列基板01包括多個子像素10，每個所述子像素10由相鄰兩根柵線20和相鄰兩根數據線30交叉限定，每個子像素10包括薄膜晶體管101以及與薄膜晶體管的漏極電連接的像素電極102。

目前，為了防止柵線20信號對像素電極102造成干擾，需要在像素電極102與柵線20之間設置一定間距L，而這個間距L也不能太小，這樣的話勢必導致通過該間距L部分的光不能被通過像素電極102和公共電極驅動的液晶層所控制，從而最終被彩膜基板的黑矩陣所濾除，影響開口率。

實用新型內容

本實用新型的實施例提供一種陣列基板及顯示裝置，可提高開口率。

為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術方案：

一方面，提供一種陣列基板，包括多個子像素，每個所述子像素由相鄰兩根柵線和相鄰兩根數據線交叉限定；每個所述子像素包括：至少一個薄膜晶體管，位于所述薄膜晶體管上方的有機樹脂層，以及位于所述有機樹脂層上方且沿所述數據線方向排列的第一像素電極和第二像素電極；其中，所述第一像素電極和所述第二像素電極不接觸；

所述第一像素電極延伸到與所述第一像素電極靠近的第一柵線上方，所述第二像素電極延伸到與所述第二像素電極靠近的第二柵線上方；其中，所述第一柵線和所述第二柵線相鄰；

沿所述數據線方向，在任意相鄰的兩根所述數據線之間，位于所述第一柵線兩側的相鄰兩個子像素的所述第一像素電極均靠近所述第一柵線且在所述第一柵線上方連接，所述位于所述第一柵線兩側的相鄰兩個子像素的所述第二像素電極均遠離所述第一柵線；

沿所述數據線方向，在任意相鄰的兩根所述數據線之間，位于所述第二柵線兩側的相鄰兩個子像素的所述第二像素電極均靠近所述第二柵線且在所述第二柵線上方連接，所述位于所述第二柵線兩側的相鄰兩個子像素的所述第一像素電極均遠離所述第二柵線；

所述位于所述第一柵線兩側的相鄰兩個子像素的所述第一像素電極與至少一個薄膜晶體管的漏極電連接，所述位于所述第二柵線兩側的相鄰兩個子像素的所述第二像素電極與至少一個薄膜晶體管的漏極電連接。

優選的，在每個所述子像素中，與所述薄膜晶體管的漏極電連接的所述第一像素電極和/或所述第二像素電極露出所述薄膜晶體管的區域。

進一步優選的，每個所述子像素包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；所述第一薄膜晶體管的漏極與所述第一像素電極電連接，所述第二薄膜晶體管的漏極與所述第二像素電極電連接；

沿所述數據線方向，所述位于所述第一柵線兩側的相鄰兩個子像素中的兩個所述第一薄膜晶體管的柵極均與所述第一柵線連接，且均相對所述第一柵線對稱；所述位于所述第二柵線兩側的相鄰兩個子像素中的兩個所述第二薄膜晶體管的柵極均與所述第二柵線連接，且均相對所述第二柵線對稱。

基于上述，優選的，沿柵線方向，所述第一像素電極和所述第二像素電極均延伸到所述數據線上方。

優選的，所述第一像素電極和所述第二像素電極的面積相等。

優選的，所述有機樹脂層的厚度為1～3μm。

優選的，每個所述子像素還包括位于所述第一像素電極和所述第二像素電極上方的公共電極。

另一方面，提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。

本實用新型實施例提供了一種陣列基板及顯示裝置，由于在薄膜晶體管與第一像素電極和第二像素電極之間設置有有機樹脂層，而有機材料的絕緣層的厚度通常為微米級，因此，可以避免柵線信號對第一像素電極和第二像素電極的干擾，并且減少第一像素電極和第二像素電極與薄膜晶體管各電極之間產生的寄生電容。在此基礎上，本實用新型實施例中由于在每個子像素中第一像素電極和第二像素電極分別與靠近的第一柵線和第二柵線之間沒有間距，且由于每個子像素中的第一像素電極和第二像素電極沒有互相干擾的問題，因此所述第一像素電極和第二像素電極之間的間距可以做的非常小，因此，相比現有技術中每個子像素中像素電極與柵線之間設置一定間距而導致開口率下降，本實用新型實施例可以提高開口率。

附圖說明