[實用新型]一種多模干涉結構

有效

• 申請號: 201420342360.5
• 申請日: 2014-06-24
• 公開（公告）號: CN203941309U
• 公開（公告）日: 2014-11-12
• 發明（設計）人: 周治平;鄧清中
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: G02B6/122
• 分類號: G02B6/122;G02F1/225
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李相雨

1.一種多模干涉結構，包括輸入波導、多模區域和輸出波導，其特征在于：

所述多模區域為非對稱結構。

2.根據權利要求1所述的多模干涉結構，其特征在于：

所述多模區域由具有對稱結構的多模區域去除其中部分結構得到。

3.根據權利要求2所述的多模干涉結構，其特征在于：

所去除的部分結構的形狀為矩形。

4.根據權利要求1所述的多模干涉結構，其特征在于：

所述輸入波導和/或輸出波導為非良導體材料波導，或非良導體材料與金屬結合的表面等離子體波導。

5.根據權利要求4所述的多模干涉結構，其特征在于，所述表面等離子體波導為：

非良導體材料表面覆蓋一層金屬的表面等離子體波導。

6.根據權利要求4或5所述的多模干涉結構，其特征在于：

所述非良導體材料為電介質、半導體或有機物。

7.根據權利要求6所述的多模干涉結構，其特征在于：

所述電介質為二氧化硅、二氧化鈦或氧化鎵；

和/或，所述半導體為硅、鍺、氮化硅或三五族光電子化合物材料。

8.根據權利要求7所述的多模干涉結構，其特征在于：

所述三五族光電子化合物材料為磷化銦或氮化鎵。

9.根據權利要求5所述的多模干涉結構，其特征在于，所述表面等離子體波導為：

硅或二氧化硅表面覆蓋一層銀或金的表面等離子體波導。

10.根據權利要求3所述的多模干涉結構，其特征在于：

所述多模干涉結構為光功率分束器，所述光功率分束器通過改變所去除的矩形的尺寸來實現任意分束比。