[實用新型]一種晶圓冷卻腔有效
| 申請號： | 201420340679.4 | 申請日： | 2014-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN203910769U | 公開（公告）日： | 2014-10-29 |
| 發明（設計）人： | 吳新江;曹涯路;桂鵬 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 100176 北京市大興*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 冷卻 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶圓冷卻腔，其特征在于，所述晶圓冷卻腔體結構至少包括：腔體，所述腔體包括上腔體及下腔體，所述上腔體設置有多個用于晶圓冷卻的冷卻盤，所述下腔體設置有多個放置盤狀工作件的支架，所述上腔體與下腔體之間通過阻擋板隔斷。
2.根據權利要求1所述的晶圓冷卻腔，其特征在于：所述晶圓冷卻腔的材質為不銹鋼金屬。
3.根據權利要求1所述的晶圓冷卻腔，其特征在于：所述腔體為長方體結構。
4.根據權利要求1所述的晶圓冷卻腔，其特征在于：所述腔體設置有用于所述晶圓及所述盤狀工作件出入的開口。
5.根據權利要求1所述的晶圓冷卻腔，其特征在于：所述冷卻盤的數量設定為不少于3個，所述支架的數量設定為不少于3個。
6.根據權利要求1所述的晶圓冷卻腔，其特征在于：相鄰的兩個冷卻盤之間的距離設定為6.5mm～7.5mm。
7.根據權利要求1所述的晶圓冷卻腔，其特征在于：相鄰的兩個支架之間的距離設定為7mm～8mm。
8.根據權利要求1所述的晶圓冷卻腔，其特征在于：所述支架為框體結構。
9.根據權利要求1所述的晶圓冷卻腔，其特征在于：最下層的所述冷卻盤和最上層的所述支架之間的距離設定為7mm～9mm。
10.根據權利要求1所述的晶圓冷卻腔，其特征在于：所述盤狀工作件為靜電盤遮蓋片。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
