[實用新型]用于薄片盤狀物的清洗裝置有效
| 申請號: | 201420339793.5 | 申請日: | 2014-06-24 | 
| 公開(公告)號: | CN204011369U | 公開(公告)日: | 2014-12-10 | 
| 發明(設計)人: | 王波雷;張豹;朱攀;王銳廷 | 申請(專利權)人: | 北京七星華創電子股份有限公司 | 
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;B08B3/08 | 
| 代理公司: | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;陶金龍 | 
| 地址: | 100016 *** | 國省代碼: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 薄片 盤狀物 清洗 裝置 | ||
技術領域
本實用新型屬于半導體工藝制造領域,涉及一種用于薄片盤狀物的清洗裝置。
背景技術
在隨著集成電路特征尺寸進入到深亞微米階段,集成電路晶片制造工藝中所要求的晶片表面的潔凈度越來越苛刻,為了保證晶片材料表面的潔凈度,集成電路的制造工藝中存在數百道清洗工序,清洗工序占了整個制造過程的30%。
目前常用的硅片清洗方法以單片濕法化學清洗為主,常用的單片濕法化學清洗的普遍方法為:卡盤夾持硅片旋轉,同時使用不同的噴淋臂在硅片表面噴灑不同的工藝介質,使用環狀的工藝腔體對工藝介質進行收集,最后借助氮氣或其他介質甩干硅片。由于濕法化學清洗的過程用到多種酸堿試劑、有機溶劑、超純水以及氮氣等,噴淋各種清洗介質在同一工藝腔內往往會交叉污染,為減少因交叉污染對硅片清洗工藝帶來不利的影響,需要對清洗硅片的不同介質進行分開處理,回收或者直接排放掉,除此以外,工藝過程中工藝腔內需要有較好的氣流場抑制化學試劑揮發至工藝腔體的外圍。
因此,本領域技術人員需對現有的薄片盤狀物的清洗裝置進行改進,減少因交叉污染對硅片清洗工藝帶來不利的影響。
實用新型內容
針對現有技術的不足之處,本實用新型的目的是提供一種用于薄片盤狀物的清洗裝置,減少因交叉污染對硅片清洗工藝帶來不利的影響。
本實用新型目的通過下述技術方案來實現:
本實用新型提供一種用于薄片盤狀物的清洗裝置,包括工藝腔,包括:
盤狀物承載平臺,包括卡盤和旋轉軸,所述旋轉軸安裝在所述卡盤下方且與所述卡盤共軸線,所述旋轉軸用于帶動所述卡盤做自旋轉運動;
第一驅動裝置,設于所述旋轉軸的下方,驅動所述旋轉軸做升降運動或自旋轉運動;
低速收集環,設于所述卡盤下方的圓周方向上,用于收集旋轉軸低速旋轉時排放的清洗介質,所述低速收集環上設有排液口用于排放清洗介質,所述排液口連接排液通道;
至少一個高速收集環,設于所述卡盤的外圍,用于收集所述旋轉軸高速旋轉時排放的清洗介質,所述高速收集環下方設有第二驅動裝置用于驅動所述高速收集環做升降運動;
所述工藝腔的腔壁高度大于所述低速收集環的環壁高度,當所述高速收集環下降至低檔位時,所述高速收集環和所述低速收集環之間呈閉合狀態,同時所述高速收集環和所述工藝腔腔壁之間呈打開狀態,當所述高速收集環上升至高檔位時,所述高速收集環和所述工藝腔腔壁之間呈閉合狀態,同時所述高速收集環和所述低速收集環之間呈打開狀態;切換高速收集環的高低檔位,使其中任一高速收集環的一側環壁與相鄰的高速收集環、低速收集環或工藝腔腔壁呈打開狀態并形成不同的排液通道。
優選的,所述工藝腔的腔壁外圍設有抽氣腔,所述工藝腔與所述抽氣腔之間形成用于抽氣的環形噴嘴,所述抽氣腔的腔壁連接設有抽氣泵的排氣管道。
優選的,所述排氣管道上設有用于調整排氣量的氣流微調裝置。
優選的,所述抽氣腔上方設有防止液體飛濺的遮擋環。
優選的,所述工藝腔與所述抽氣腔之間設有排液通道,所述排液通道用于收集氣流冷凝后形成的液滴。
優選的,所述盤狀物承載平臺的上方設有用于清洗盤狀物的噴液管。
優選的,所述卡盤上設有至少三個用于夾持盤狀物的夾持件。
本實用新型在工藝腔內設置低速收集環和至少一個高速收集環,通過調整高速收集環的高低檔位,在工藝腔內劃分不同的排液通道,減少清洗介質因交叉污染對硅片清洗工藝帶來不利的影響,除此以外,抽氣腔保持對工藝腔內的氣流進行抽氣,抑制化學試劑揮發至工藝腔體的外圍,可實現對硅片清洗工藝中的不同清洗介質進行不同的排液處理,同時可實現對不同的工藝過程流場的排氣控制,結構簡單實用。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案,下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本實用新型中盤狀物承載平臺處在裝載位置時的結構示意圖;
圖2為本實用新型通過調整高速收集環的高低檔位形成的第一排液通道的結構示意圖;
圖3為本實用新型通過調整高速收集環的高低檔位形成的第二排液通道的結構示意圖;
圖4為本實用新型通過調整高速收集環的高低檔位形成的第三排液通道的結構示意圖;
圖5為本實用新型中盤狀物承載平臺處在卸載位置時的結構示意圖。
圖中標號說明如下:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





