[實用新型]雙向瞬態電壓抑制二極管

有效

• 申請號: 201420338708.3
• 申請日: 2014-06-24
• 公開（公告）號: CN204011437U
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發明（設計）人: 王艷春
• 申請（專利權）人: 寧波比亞迪半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/06
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

1.一種雙向瞬態電壓抑制二極管，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底為重摻雜；

在所述襯底內形成有埋層，所述埋層摻雜濃度大于所述襯底摻雜濃度，所述埋層導電類型與所述襯底的導電類型相同；

在所述襯底的正面形成有外延層，所述外延層為輕摻雜，其導電類型與所述襯底的導電類型相同；

在所述外延層內形成有阱區，其導電類型與所述襯底的導電類型相反；

在所述外延層內，位于所述埋層上方的位置上形成有第一有源區，其導電類型與所述襯底的導電類型相同;

在所述阱區內，位于所述第一有源區水平的方向上同時形成有第二有源區和第三有源區，所述第二有源區和第三有源區具有相同的導電類型和摻雜濃度，其摻雜濃度大于所述外延層摻雜濃度，且其導電類型與所述第一有源區導電類型相同，所述第二有源區與所述第三有源區的形狀相同，所述第二有源區和所述阱區形成的PN結面積與所述第三有源區和所述阱區形成的PN結面積之比為100:1-1:100；

在所述第二有源區和第三有源區的四周分別形成有第一保護環和第二保護環，其摻雜濃度小于所述第二有源區和第三有源區的摻雜濃度，且其導電類型與所述第一有源區導電類型相同，所述第一保護環和第二保護環的深度小于所述第二有源區和第三有源區的深度；

在所述埋層和所述第一有源區之間形成有導通層，所述導通層使所述埋層和所述第一有源區相連形成完整的電流通道；

在所述外延層之上形成有保護層，所述保護層上有若干個接觸孔，使所述第一有源區、第二有源區和第三有源區部分暴露；

在所述保護層之上和所述接觸孔內形成有互不相連的陽極金屬層和橋接金屬層；所述陽極金屬層與所述第二有源區相連，所述第三有源區通過所述橋接金屬層與第一有源區相連，所述陽極金屬層覆蓋所述第一保護環，所述橋接金屬層覆蓋所述第二保護環；

在所述襯底的背面形成有陰極金屬層。

2.如權利要求1所述的雙向瞬態電壓抑制二極管，其特征在于，所述第二有源區和所述第三有源區分別與所述阱區形成的PN結面積相等。

3.如權利要求1所述的雙向瞬態電壓抑制二極管，其特征在于，所述第二有源區包括多個第二有源區單元，所述第二有源區單元均與所述陽極金屬層相連，所述多個第二有源區單元的形狀相同。

4.如權利要求3所述的雙向瞬態電壓抑制二極管，其特征在于，所述第三有源區包括多個第三有源區單元，所述第三有源區單元均與所述橋接金屬層相連，所述多個第三有源區單元與所述第二有源區單元的個數和形狀相同。

5.如權利要求4所述的雙向瞬態電壓抑制二極管，其特征在于，所述第二有源區單元和第三有源區單元分別與所述阱區形成的PN結面積相等。

6.如權利要求1所述的雙向瞬態電壓抑制二極管，其特征在于，所述埋層包括多個間隔分布在所述阱區四周的埋層單體。

7.如權利要求1所述的雙向瞬態電壓抑制二極管，其特征在于，所述埋層呈環型且環繞著所述阱區。

8.如權利要求1所述的雙向瞬態電壓抑制二極管，其特征在于，所述第一保護環和第二保護環形狀和大小相同。