[實用新型]一種多晶硅棒用新型高壓啟動電源裝置

有效

• 申請號: 201420331093.1
• 申請日: 2014-06-20
• 公開（公告）號: CN203911794U
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 杜松林;吳小鳴
• 申請（專利權）人: 杜松林;吳小鳴;孟文博;佟寶全;張繼新;張和平
• 主分類號: H02M7/217
• 分類號: H02M7/217
• 代理公司: 北京權泰知識產權代理事務所(普通合伙) 11460
• 代理人: 王道川

1.一種多晶硅棒用新型高壓啟動電源裝置，其特征在于，包括三相變壓器、高壓直流單相IGBT調壓器P1、高壓直流單相IGBT調壓器P2和三相電抗器，所述三相電抗器包括電抗器L1、電抗器L2和電抗器L3；三相變壓器的三相電輸出端分別與高壓直流單相IGBT調壓器P1的三相電輸入端和高壓直流單相IGBT調壓器P2的三相電輸入端連接，高壓直流單相IGBT調壓器P1的正極出線依次串聯電抗器L1和第一對多晶硅棒R1后接地，高壓直流單相IGBT調壓器P2的正極出線依次串聯電抗器L3和第三對多晶硅棒R3后接地，高壓直流單相IGBT調壓器P1和高壓直流單相IGBT調壓器P2并聯后的負極出線串聯電抗器L2后接地。

2.根據權利要求1所述的多晶硅棒用新型高壓啟動電源裝置，其特征在于，高壓直流單相IGBT調壓器P1或高壓直流單相IGBT調壓器P2均包括m個串聯的斬波模塊，m≥1且m為整數,每個斬波模塊的三相電輸入端分別與三相變壓器的三相電輸出端連接。

3.根據權利要求2所述的多晶硅棒用新型高壓啟動電源裝置，其特征在于，在每個斬波模塊中：二極管整流橋的一個輸出端口分別與有極性的電容器C的陽極、IGBT場效應管Q1的集電極和二極管D1的陰極連接，二極管整流橋的另一個輸出端口分別與有極性的電容器C的陰極、IGBT場效應管Q2的發射極和二極管D2的陽極連接，IGBT場效應管Q1和二極管D1并聯，IGBT場效應管Q2和二極管D2并聯，并且IGBT場效應管Q1的發射極和二極管D1的陽極連接后與IGBT場效應管Q2的集電極連接，IGBT場效應管Q2的集電極和二極管D2的陰極連接。

4.根據權利要求3所述的多晶硅棒用新型高壓啟動電源裝置，其特征在于，所述三相變壓器設有N個互相絕緣的副邊，N＝m≥1，二極管整流橋的三相電輸入端與三相變壓器的副邊連接。

5.根據權利要求4所述的多晶硅棒用新型高壓啟動電源裝置，其特征在于，每個所述斬波模塊所設定的額定電壓為1000伏。

6.根據權利要求5所述的多晶硅棒用新型高壓啟動電源裝置，其特征在于，所述高壓直流單相IGBT調壓器P1和高壓直流單相IGBT調壓器P2的輸出電壓為1000M伏，M小于或等于N。