[實用新型]晶片裝配抗氧化裝置有效
| 申請號: | 201420325167.0 | 申請日: | 2014-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN203882975U | 公開(公告)日: | 2014-10-15 |
| 發明(設計)人: | 胡慶偉 | 申請(專利權)人: | 四川藍彩電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 成都金英專利代理事務所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英;詹權松 |
| 地址: | 629000 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 裝配 氧化 裝置 | ||
1.晶片裝配抗氧化裝置,其特征在于:它包括高溫密封裝配艙(1),高溫密封裝配艙(1)內設置有用于放置接料引線(2)的支架(3),晶片(4)裝配在接料引線(2)上;所述的高溫密封裝配艙(1)的壁上設置有至少一個抗氧化氣體導入口(5),抗氧化氣體導入口(5)通過安裝組件(6)固定安裝在高溫密封裝配艙(1)的壁上。
2.根據權利要求1所述的晶片裝配抗氧化裝置,其特征在于:所述的抗氧化氣體導入口(5)有兩個,一個是氫氣導入口,另一個是氮氣導入口。
3.根據權利要求1所述的晶片裝配抗氧化裝置,其特征在于:所述的安裝組件(6)包括相互配合的法蘭盤A(7)和法蘭盤B(8),法蘭盤A(7)通過密封墊圈a(9)壓緊于高溫密封裝配艙(1)的壁上,法蘭盤B(8)通過密封墊圈b(10)壓緊于高溫密封裝配艙(1)的壁上。
4.根據權利要求1所述的晶片裝配抗氧化裝置,其特征在于:所述高溫密封裝配艙(1)的壁上還設置有抽真空口(11),抽真空口(11)通過真空管(12)連接抽真空泵。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





