[實用新型]一種能夠準確安裝銫源的結晶器上法蘭盤

有效

• 申請號: 201420325078.6
• 申請日: 2014-06-18
• 公開（公告）號: CN203900432U
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 王紅飛;陳壽紅;胥珂;王祥;朱家勝;董昆偉;宋鵬卿
• 申請（專利權）人: 武鋼集團昆明鋼鐵股份有限公司
• 主分類號: B22D11/18
• 分類號: B22D11/18
• 代理公司: 昆明知道專利事務所(特殊普通合伙企業) 53116
• 代理人: 姜開俠

1.一種能夠準確安裝銫源的結晶器上法蘭盤，包括法蘭盤本體（1）、銫源孔（2），所述的法蘭盤本體（1）中心設置導流孔（3），其特征是：所述的法蘭盤本體（1）下方設置圓形凸臺（4）；所述的圓形凸臺（4）與結晶器為間隙配合；所述的圓形凸臺（4）外徑之名義尺寸比與之相配合件孔的內徑名義尺寸小0.5mm；所述的法蘭盤本體（1）之導流孔（3）與圓形凸臺（4）之間設置銫源孔（2）；所述的銫源孔（2）在加工時先制作銫源模具（6），所述的銫源孔（2）加工后用銫源模具（6）試裝。

2.根據權利要求1所述的能夠準確安裝銫源的結晶器上法蘭盤，其特征是：所述的法蘭盤本體（1）之非結合面設置同軸圓形凸臺（4），圓形凸臺的外側設置階梯型連接孔。

3.根據權利要求1或2所述的能夠準確安裝銫源的結晶器上法蘭盤，其特征是：所述的圓形凸臺（4）之外徑公差為±0.1mm。

4.根據權利要求1或2所述的能夠準確安裝銫源的結晶器上法蘭盤，其特征是：所述的法蘭盤本體（1）之階梯型連接孔數量為12~24個。

5.根據權利要求1或2所述的能夠準確安裝銫源的結晶器上法蘭盤，其特征是：所述的圓形凸臺（4）高度為20~50mm。

6.根據權利要求1所述的能夠準確安裝銫源的結晶器上法蘭盤，其特征是：所述的導流孔（3）呈階梯矩形孔，下部矩形孔大，上部矩形孔小，下部矩形孔與結晶器銅管配合。

7.根據權利要求1所述的能夠準確安裝銫源的結晶器上法蘭盤，其特征是：所述的銫源孔（2）為不銹鋼體，壁厚3~4mm。

8.根據權利要求1所述的能夠準確安裝銫源的結晶器上法蘭盤，其特征是：所述的法蘭盤本體（1）與銫源孔（2）焊接，并設置銫源孔（2）的尺寸公差及形位公差。

9.根據權利要求1所述的能夠準確安裝銫源的結晶器上法蘭盤，其特征是：所述的銫源模具（6）與銫源的外形一致。

10.根據權利要求1或9所述的能夠準確安裝銫源的結晶器上法蘭盤，其特征是：所述的銫源模具（6）為膠木棒、尼龍棒或鋼管體。