[實用新型]一種片式寬域氧傳感器芯片有效
| 申請號： | 201420321027.6 | 申請日： | 2014-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN203949895U | 公開（公告）日： | 2014-11-19 |
| 發明（設計）人： | 黃海琴;宗紅軍;黃海軍 | 申請（專利權）人： | 深圳市普利斯通傳感科技有限公司;江澍 |
| 主分類號： | G01N27/409 | 分類號： | G01N27/409 |
| 代理公司： | 深圳市精英專利事務所 44242 | 代理人： | 馮筠 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市寶安區松崗*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 片式寬域氧 傳感器 芯片 | ||
1.一種片式寬域氧傳感器芯片，其特征在于，包括由上至下依次層疊設置的第一層流延基片、第二層流延基片、第三層流延基片、第四層流延基片、第五層流延基片以及第六層流延基片，其中，
所述第二層流延基片上設有擴散空腔，所述第四層流延基片上設有反應空腔，所述第三層流延基片上設有連通擴散空腔和反應空腔的擴散通道；
所述第三層流延基片的上表面設有容置于擴散空腔內的信號外泵電極，所述第三層流延基片的上表面還印制有覆蓋在信號外泵電極上的保護層；
所述第四層流延基片上表面設有一凹槽，所述凹槽內設置有第一絕緣層，所述第一絕緣層內設置有參比電極；
所述反應空腔內設有若干信號內泵電極，所述反應空腔內設有將信號內泵電極與擴散通道隔離的擴散障礙層；
所述第五層流延基片與第六層流延基片之間設有第二絕緣層，所述第二絕緣層內設有加熱電極，所述加熱電極通過電極引腳引到傳感器的表面。
2.如權利要求1所述的片式寬域氧傳感器芯片，其特征在于，所述信號內泵電極分別對稱設置在第三層流延基片的下表面和第五層流延基片的上表面。
3.如權利要求1所述的片式寬域氧傳感器芯片，其特征在于，所述擴散障礙層為帶有氣孔的蜂窩狀結構。
4.如權利要求1所述的片式寬域氧傳感器芯片，其特征在于，所述第一層流延基片、第二層流延基片、第三層流延基片、第四層流延基片、第五層流延基片以及第六層流延基片的材質均為氧化鋯。
5.如權利要求1所述的片式寬域氧傳感器芯片，其特征在于，所述信號外泵電極、信號內泵電極和參比電極的材質均為鉑與氧化鋯陶瓷形成的多孔材料。
6.如權利要求5所述的片式寬域氧傳感器芯片，其特征在于，所述鉑與氧化鋯陶瓷的粉體的粒度都小于1um。
7.如權利要求1所述的片式寬域氧傳感器芯片，其特征在于，所述加熱電極是由貴金屬鉑制成。
8.如權利要求7所述的片式寬域氧傳感器芯片，其特征在于，所述鉑的粒度小于0.5um。
9.如權利要求1所述的片式寬域氧傳感器芯片，其特征在于，所述第一絕緣層和第二絕緣層的材質為致密氧化鋁質。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市普利斯通傳感科技有限公司;江澍，未經深圳市普利斯通傳感科技有限公司;江澍許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201420321027.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
