[實用新型]一種可控制電荷分布的金屬化膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420319276.1 | 申請日: | 2014-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN204045396U | 公開(公告)日: | 2014-12-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宋仁祥 | 申請(專利權(quán))人: | 安徽省寧國市海偉電子有限公司 |
| 主分類號: | H01G4/005 | 分類號: | H01G4/005 |
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| 地址: | 242300 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 控制 電荷分布 金屬化 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種可控制電荷分布的金屬化膜,屬于電子元器件技術(shù)領(lǐng)域。?
背景技術(shù)
近幾年來,隨著信息產(chǎn)業(yè)及現(xiàn)代電子裝備、儀器儀表向著小型化、輕量化、低成本、高性能等方向發(fā)展,金屬化薄膜電容器以其耐壓跨度大、覆蓋范圍廣、自愈性能好、適應(yīng)領(lǐng)域?qū)挼蕊@著特點(diǎn)而得到了廣泛的重視和應(yīng)用。金屬化薄膜電容器作為基礎(chǔ)電子元器件,市場的需求逐年增大,其型號、規(guī)格、品種越來越多,使用的領(lǐng)域不斷拓寬,產(chǎn)品的技術(shù)檔次,制造中的工藝技術(shù)和生產(chǎn)設(shè)備的技術(shù)含量也不斷在提高。?
金屬化薄膜是由塑料薄膜上真空蒸鍍上一層很薄的金屬構(gòu)成,該層金屬被用來作為電極。現(xiàn)有的普通金屬化膜上設(shè)置隔離帶,防止金屬化膜自愈過程中把與自愈點(diǎn)上下相鄰的多層介質(zhì)灼傷擊穿,造成電容器短路失效。但是,實際上由于金屬化膜的金屬層厚度不均勻,導(dǎo)致其表面電荷分布不均勻,局部區(qū)域電流密度過大也很容易導(dǎo)致灼傷擊穿,影響實際使用。?
實用新型內(nèi)容
本實用新型正是針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,提供一種可控制電荷分布的金屬化膜。?
為解決上述問題,本實用新型所采取的技術(shù)方案如下:?
一種可控制電荷分布的金屬化膜,包括屏帶,屏帶設(shè)置在金屬化膜一側(cè)的邊緣處,所述金屬化膜包括:第一金屬區(qū)和第二金屬區(qū),在第二金屬區(qū)內(nèi)部設(shè)置有若干個等間距的矩形隔離條,隔離條與屏帶相互連接在一起,并將第二金屬區(qū)分割成獨(dú)立單元,且第一金屬區(qū)的方阻比第二金屬區(qū)的方阻大,所述第一金屬區(qū)的方阻為10~20歐姆/平方單位,第二金屬區(qū)的方阻為2~10歐姆/平方單位。?
作為上述技術(shù)方案的改進(jìn),所述第一金屬區(qū)的方阻為12~18歐姆/平方單位。?
作為上述技術(shù)方案的改進(jìn),所述第二金屬區(qū)的方阻為4~8歐姆/平方單位。?
作為上述技術(shù)方案的改進(jìn),所述第一金屬區(qū)寬度d與金屬化膜總寬度D之間的幾何關(guān)系為:1/3D≤d≤1/2D。?
本實用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比較,本實用新型的實施效果如下:?
本實用新型所述金屬化膜,在金屬化膜上形成第一金屬區(qū)和第二金屬區(qū),并在第二金屬區(qū)內(nèi)設(shè)置隔離條,通過控制第一金屬區(qū)和第二金屬區(qū)方阻的大小來實現(xiàn)控制電荷的分布與流動,避免電荷在局部集中,消除了金屬化膜被燒灼或擊穿,滿足實際使用要求。?
附圖說明
圖1為本實用新型所述一種可控制電荷分布的金屬化膜結(jié)構(gòu)示意圖。?
具體實施方式
下面將結(jié)合具體的實施例來說明本實用新型的內(nèi)容。?
如圖1所示,為本實用新型所述一種可控制電荷分布的金屬化膜結(jié)構(gòu)示意圖,所述金屬化膜包括:基膜和金屬蒸鍍膜,金屬蒸鍍膜僅設(shè)置在基膜一側(cè)的表面上。所述金屬蒸鍍膜包括:第一金屬區(qū)1和第二金屬區(qū)2,第一金屬區(qū)1和第二金屬區(qū)2為在基膜上采用蒸鍍工藝形成的鋅鋁復(fù)合層,基膜上未被金屬蒸鍍膜覆蓋的區(qū)域形成屏帶3,屏帶3設(shè)置在金屬化膜一側(cè)的邊緣處。在第二金屬區(qū)2內(nèi)部還設(shè)置有若干個等間距的矩形隔離條4,隔離條4與屏帶3相互連接在一起,并將第二金屬區(qū)2分割成獨(dú)立單元。?
第一金屬區(qū)1的金屬厚度比第二金屬區(qū)2的厚度薄,讓第一金屬區(qū)1的方阻比第二金屬區(qū)2的方阻大,第一金屬區(qū)1的方阻為10~20歐姆/平方單位,一般控制在12~18歐姆/平方單位范圍內(nèi);第二金屬區(qū)2的方阻為2~10歐姆/平方單位,一般控制在4~8歐姆/平方單位范圍內(nèi)。由于第一金屬區(qū)1的方阻比第二金屬區(qū)2的方阻大,因此,當(dāng)金屬化膜兩端施加電壓并存在電位差時,電荷在第一金屬區(qū)1和第二金屬區(qū)2上分布不均勻,總是從第?一金屬區(qū)1向第二金屬區(qū)2流動,因此第二金屬區(qū)2內(nèi)的電流密度較大。而第二金屬區(qū)2內(nèi)分布等間距的隔離條4,在隔離條4和屏帶3的共同作用下,進(jìn)一步限制了電荷的移動,因此,電荷總是在第二金屬區(qū)2聚集較多,而第一金屬區(qū)1相對較少。這樣有效控制電荷的分布,避免第一金屬區(qū)1局部電荷過多導(dǎo)致電流密度過大發(fā)生燒灼或擊穿現(xiàn)象。?
本實用新型所述的金屬化膜,第一金屬區(qū)1的寬度為d,金屬化膜的總寬度為D,一般情況下1/3D≤d≤1/2D,這樣,讓第二金屬區(qū)2有足夠的空間,避免其內(nèi)部電流密度過大。?
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