[實用新型]一種氮化物發(fā)光二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420315117.4
• 申請日: 2014-06-13
• 公開（公告）號: CN203883035U
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發(fā)明（設計）人: 謝翔麟;徐志波;藍永凌;林兓兓;卓昌正;張家宏
• 申請（專利權）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及發(fā)光半導體器件領域，尤其涉及一種氮化物發(fā)光二極管外延片的生產(chǎn)技術領域。?

背景技術

目前，氮化物發(fā)光二極管（Light-emitting?diodes，簡稱LED）以其高效率、長壽命、全固態(tài)、自發(fā)光和綠色環(huán)保等優(yōu)點，已經(jīng)被廣泛應用于照明和顯示兩大領域；其氮化物發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)成為國內(nèi)外產(chǎn)學研各界重點研究的對象，尤其是近年來關于P型層結(jié)構(gòu)一直是各界研究熱點。由于P型層是空穴的提供層，其Mg摻雜往往較高，從而影響其晶格質(zhì)量，在器件通入電流后易造成抗靜電能力差，而當晶格質(zhì)量變差時，其產(chǎn)生的缺陷易吸光，造成器件的出光效率變差，最終導致器件整體性能偏差。

發(fā)明內(nèi)容

針對上述發(fā)光二極管所存在的問題，本實用新型提出了一種氮化物發(fā)光二極管，其結(jié)構(gòu)包括：襯底、?n側(cè)層、活性層、p側(cè)層；其中，所述p側(cè)層包含電子阻擋層、空穴注入層、接觸層；所述空穴注入層由u型氮化物層、p型氮化物層和氮化鎂層交互堆疊而成。

優(yōu)選的，所述空穴注入層中交互堆疊層的層疊周期為1～50。

優(yōu)選的，所述空穴注入層中氮化鎂層、u型氮化物層和p型氮化物層位置可相互調(diào)變。

優(yōu)選的，所述氮化鎂層的層數(shù)n范圍為?1≤n≤50。

優(yōu)選的，u型氮化物層和p型氮化物層的層疊周期數(shù)m范圍為?1≤m≤50。

優(yōu)選的，所述氮化鎂層膜厚為1埃～15埃。

優(yōu)選的，所述空穴注入層中u型氮化物層膜厚為1埃～50埃、p型氮化物層膜厚為100埃～2000埃。

優(yōu)選的，所述空穴注入層的摻雜濃度范圍為1×10¹⁷～5×10²¹cm^-3。

在一些實施例中，所述空穴注入層中氮化鎂層數(shù)與u型氮化物層和p型氮化物層的層疊周期相同。

在另一些實施例中，所述空穴注入層中氮化鎂層層數(shù)與u型氮化物層和p型氮化物層的層疊周期不同。

本發(fā)明的有益效果是：u型氮化物層、p型氮化物層和氮化鎂層交互堆疊構(gòu)成空穴注入層中氮化鎂層可有效擴展電流，改善電流擁擠現(xiàn)象，改善出光均勻性；同時改善晶格質(zhì)量，進而改善漏電流及抗靜電能力等電特性。

附圖說明

附圖用來提供對本實用新型的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本實用新型的實施例一起用于解釋本實用新型，并不構(gòu)成對本實用新型的限制。此外，附圖數(shù)據(jù)是描述概要，不是按比例繪制。

圖1為本實用新型之實施例1的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實用新型之實施例2的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本實用新型之實施例3的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本實用新型之實施例3的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)另一示意圖。

圖5為本實用新型之實施例4的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)示意圖。

100.襯底；200.緩沖層；300.?n型層；400.?活性層；500.電子阻擋層；600.空穴注入層；610.?u型氮化物層；620.p型氮化物層；630.氮化鎂層；700.接觸層。?

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明的具體實施方式進行詳細說明。

實施例1

請參看附圖1，當n=m=1時（n：氮化鎂層數(shù)，m：u型氮化物層與p型氮化物層的層疊周期），具體結(jié)構(gòu)如下：提供一襯底100，其中襯底100材質(zhì)可選用圖形化藍寶石（PSS）、平面藍寶石（Sapphire）、SiC(6H-SiC或4H-SiC)、Si、GaAs?或GaN等，晶格常數(shù)（lattice?constant）接近于氮化物半導體的單晶氧化物也包含其中，優(yōu)選使用圖形化藍寶石襯底，在襯底100上生長緩沖層200，在緩沖層200上生長n型層300，后在n型層300上生長活性層400，接著在活性層400上生長電子阻擋層500，再在電子阻擋層500上生長空穴注入層600，其從下至上依次包括依次生長u型氮化物層610、p型氮化物層620和氮化鎂層630。其中生長的u型氮化物層610的厚度范圍為1埃～50埃、p型氮化物層620厚度范圍為100埃～2000埃，摻雜濃度范圍為1×10¹⁷～5×10²¹cm^-3、氮化鎂層630厚度范圍為1埃～15埃，最后再在氮化鎂層630上生長接觸層700。

實施例2