[實(shí)用新型]一種生長(zhǎng)在Si圖形襯底上的LED外延片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420307767.4 | 申請(qǐng)日： | 2014-06-10 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN203910840U | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-10-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李國(guó)強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 廣州市眾拓光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/22 | 分類號(hào)： | H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 湯喜友 |
| 地址： | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 生長(zhǎng) si 圖形 襯底 led 外延 | ||
1.一種生長(zhǎng)在Si圖形襯底上的LED外延片，其特征在于：其包括Si圖形襯底，所述Si圖形襯底的晶體取向?yàn)?111)，其上分布有若干個(gè)形狀相同的圖形凸起；在所述Si圖形襯底上依次生長(zhǎng)有AlN緩沖層、AlGaN步進(jìn)緩沖層、u-GaN層、n-GaN層、InGaN/GaN量子阱層及p-GaN層；在每個(gè)圖形凸起的頂部形成有空洞。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在Si圖形襯底上的LED外延片，其特征在于:所述AlGaN步進(jìn)緩沖層包含三層，由下而上依次為：第一AlGaN層、第二AlGaN層和第三AlGaN層；其中，第一AlGaN層的厚度為80-150nm；第二AlGaN層的厚度為100-200nm；第三AlGaN層的厚度為200-300nm；第一AlGaN層、第二AlGaN層和第三AlGaN層中Al的摻雜量依次降低。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在Si圖形襯底上的LED外延片，其特征在于:所述圖形凸起的排布方式為矩形排布或六邊形排布。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在Si圖形襯底上的LED外延片，其特征在于:所述圖形凸起為半球或圓錐，其高度H為1-1.2μm，邊距d為1-3μm，底寬w為1.5-3μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在Si圖形襯底上的LED外延片，其特征在于:所述空洞分布在圖形凸起的頂部，空洞高度h為10-100nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在Si圖形襯底上的LED外延片，其特征在于:所述u-GaN層厚度為1-1.5μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長(zhǎng)在Si圖形襯底上的LED外延片，其特征在于:所述AlN緩沖層的厚度為10-100nm。
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