[實用新型]硅片提升到位檢測機構有效
| 申請號: | 201420292067.2 | 申請日: | 2014-06-03 |
| 公開(公告)號: | CN203882969U | 公開(公告)日: | 2014-10-15 |
| 發明(設計)人: | 劉海珊;孫紅喆;王維熙 | 申請(專利權)人: | 天津源天晟科技發展有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L31/18 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人: | 王麗英 |
| 地址: | 300457 天津市塘沽區天津經濟技術*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 硅片 提升 到位 檢測 機構 | ||
技術領域
本實用新型涉及用于檢測硅片提升過程是否到位的機構,本實用新型尤其涉及硅片提升到位檢測機構。
背景技術
在對太陽能硅片進行水下自動分片過程中,需要將成疊的硅片放置于承載夾具中并垂直向上提升至分片高度,這就要求通過傳感器檢測硅片上層是否提升到位。由于提升過程在水下進行,硅片為非金屬材質且薄而易碎,傳統利用傳感器直接檢測的方式檢測效果不穩定。傳統檢測方式一般為:直接接觸和光電感應方式,但是這兩種技術均有缺陷,直接接觸式,需要一個硬性機構接觸到硅片,硅片運動帶動這個機構移動,通過檢測移動距離來檢測硅片是否到位,這個硬性機構由于有運動阻力,在移動中有損傷硅片的風險。光電感應的形式,由于硅片表面有比較多的臟污,會直接影響感光強度,隨著硅片表面狀態不同,檢測效果也不同,造成誤判。
發明內容
本實用新型的目的在于克服已有技術的缺陷,提供一種檢測效果穩定的硅片提升到位檢測機構。
本實用新型的硅片提升到位檢測機構,它包括金屬接近傳感器,在所述的金屬接近傳感器的正下方安裝有感應環芯軸,待檢測狀態下感應環自然下垂懸掛在感應環芯軸上,所述的感應環包括塑料基體,在所述的基體外壁中間設置有環形凹槽,在所述的環形凹槽內固定有不銹鋼環形感應體,在工作過程中被提升的硅片能夠接觸并頂升感應環使感應環進入金屬接近傳感器的監測范圍內。
本機構的有益效果是:硅片接觸的是一個自由狀態的感應環,除去環的重力外,沒有任何外力,對硅片表面的作用力最小,接觸最簡單,最輕柔,對硅片造成破損的隱患最小,同時感應環接觸也沒有誤差,起到了既能準確檢測,又能造成最低傷害風險。
附圖說明
圖1是待檢測狀態下的本實用新型的硅片提升到位檢測機構的整體結構示意圖;
圖2是檢測完成狀態下的本實用新型的硅片提升到位檢測機構的整體結構示意圖;
圖3-1是圖1所示的機構中的感應環結構示意圖;
圖3-2是圖3-1所示的感應環的A-A向示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本實用新型作進一步說明。
本實用新型是利用金屬接近傳感器和感應環組成的間接檢測硅片提升到位信號的硅片提升到位檢測機構。
如圖1所示是硅片提升到位檢測機構的整體結構示意圖,它包括金屬接近傳感器4,在所述的金屬接近傳感器的正下方安裝有感應環芯軸3,待檢測狀態下感應環2自然下垂懸掛在感應環芯軸上,所述的感應環2包括塑料基體5,在所述的基體5外壁中間設置有環形凹槽,在所述的環形凹槽內固定有不銹鋼環形感應體,待檢測硅片1設置在感應環下方,在工作過程中被提升的硅片能夠接觸并頂升感應環使感應環到金屬接近傳感器的監測范圍C內。待檢測狀態下感應環在重力作用下自然下垂懸掛在感應環芯軸上,工作過程中被提升的硅片接觸并頂升感應環,當感應環升至金屬接近傳感器的檢測范圍之內時傳感器輸出信號,判明硅片提升到位。
優選的為防止感應環擠壓金屬接近傳感器,在安裝和尺寸設計時保證感應環上升距離(可活動范圍)A小于(緩沖范圍B和檢測范圍C之和)。
優選的環形感應體的厚度小于環形凹槽深度以使塑料材質的基體5與待檢測硅片1直接接觸。
如圖1所示感應環在重力作用下懸掛在感應芯軸上并位于金屬接近傳感器的檢測范圍C之外,此時傳感器無信號輸出。
如圖2所示是顯示檢測完成狀態示意圖,該圖顯示檢測完成狀態下各部件位置。如圖所示感應環在下方被提升硅片的頂推作用下上升并進入金屬接近傳感器的檢測范圍C之內,此時傳感器輸出信號,判明硅片提升到位。
圖3-1和3-2所示是感應環結構示意圖,如圖所示感應環由不傷害硅片的塑料材質的基體5和不銹鋼材質的感應體6組成,檢測過程中感應體6可被金屬接近傳感器4感知。檢測過程中感應體可被金屬接近傳感器4感知并且不與硅片接觸,避免不銹鋼材質損傷硅片。感應環整體結構為圓環形,可繞感應環芯軸轉動,因此不會與運動的硅片摩擦,其質輕,不會壓傷硅片。
本機構的動作過程如下:
如圖1所示:待檢測狀態下感應環在重力作用下懸掛在感應芯軸上并位于金屬接近傳感器的檢測范圍C之外,此時傳感器無信號輸出。為防止金屬接近傳感器誤判信號設置緩沖范圍B,為防止感應環擠壓傳感器在安裝和尺寸設計時保證可活動范圍A小于緩沖范圍B和測范圍C之和。
運動過程中硅片被向上提升,當接觸感應環后繼續向上運動并頂升感應環,當感應環被頂升進入金屬接近傳感器的檢測范圍C之內,此時傳感器輸出信號,判明硅片提升到位。檢測過程完成。
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