[實用新型]用于除錯的金屬連線測試結構

有效

• 申請號: 201420291026.1
• 申請日: 2014-06-03
• 公開（公告）號: CN203895447U
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發明（設計）人: 郭志蓉
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種用于除錯的金屬連線測試結構，其特征在于，包括：多層層間金屬層、介質層、金屬插塞和頂層金屬層，多層層間金屬層以及頂層金屬層之間均由所述介質層隔離開，相鄰的層間金屬層之間、所述層間金屬層和所述頂層金屬層之間均通過所述金屬插塞相連；所述頂層金屬層包括相連的直線段和彎曲段，所述直線段位于所述層間金屬層正上方的介質層上，所述彎曲段繞開所述層間金屬層正上方的介質層，暴露出所述層間金屬層正上方的介質層。

2.如權利要求1所述的用于除錯的金屬連線測試結構，其特征在于，還包括預電源連接墊和預焊接墊，所述預電源連接墊和預焊接墊均形成于所述頂層金屬層上方。

3.如權利要求2所述的用于除錯的金屬連線測試結構，其特征在于，所述預電源連接墊位于芯片的輸入輸出區和功能模塊區。

4.如權利要求2所述的用于除錯的金屬連線測試結構，其特征在于，所述預焊接墊位于芯片的輸入輸出區和功能模塊區。

5.如權利要求2所述的用于除錯的金屬連線測試結構，其特征在于，所述預電源連接墊和預焊接墊為多邊形。

6.如權利要求5所述的用于除錯的金屬連線測試結構，其特征在于，所述預電源連接墊和預焊接墊的邊長范圍是5μm～10μm。

7.如權利要求1至6中任意一項所述的用于除錯的金屬連線測試結構，其特征在于，所述層間金屬層的層數范圍是2層～10層。

8.如權利要求1至6中任意一項所述的用于除錯的金屬連線測試結構，其特征在于，所述彎曲段為U型或直角弓形。

9.如權利要求8所述的用于除錯的金屬連線測試結構，其特征在于，所述彎曲段暴露出所述層間金屬層正上方介質層的長度大于5μm。