[實用新型]生長在Cu襯底的AlN薄膜有效
| 申請號： | 201420290387.4 | 申請日： | 2014-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN203983318U | 公開（公告）日： | 2014-12-03 |
| 發明（設計）人： | 李國強 | 申請（專利權）人： | 廣州市眾拓光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L31/0248 |
| 代理公司： | 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 湯喜友 |
| 地址： | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 生長 cu 襯底 aln 薄膜 | ||
【權利要求書】：
1.生長在Cu襯底的AlN薄膜，其特征在于，包括Cu襯底、AlN緩沖層和AlN薄膜，所述AlN緩沖層生長在Cu襯底上，所述AlN薄膜生長在AlN緩沖層上；所述Cu襯底以111面偏100方向0.5-1°為外延面。?
2.如權利要求1所述生長在Cu襯底的AlN薄膜，其特征在于，所述AlN緩沖層的厚度為30-50nm，所述AlN薄膜的厚度為100-300nm。?
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