[實(shí)用新型]一種生長在金屬Al襯底上的GaN薄膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420289064.3 | 申請日： | 2014-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN204130574U | 公開（公告）日： | 2015-01-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李國強(qiáng) | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州市眾拓光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L31/0248 |
| 代理公司： | 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 湯喜友 |
| 地址： | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 生長 金屬 al 襯底 gan 薄膜 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種生長在金屬Al襯底上生長的GaN薄膜，其特征在于：其包括Al襯底，Al襯底的(111)面為外延面上生長的Al2O3保護(hù)層以及在Al2O3保護(hù)層上外延生長的GaN薄膜層，其中Al2O3保護(hù)層與GaN薄膜層晶體外延取向關(guān)系為GaN(0001)//Al2O3(0001)//Al(111)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長在金屬Al襯底上生長的GaN薄膜，其特征在于：所述Al2O3保護(hù)層的厚度為15-25nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的生長在金屬Al襯底上生長的GaN薄膜，其特征在于：所述Al襯底的厚度為1-2nm。
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