[實(shí)用新型]在鎵酸鋰襯底上外延生長的非極性GaN薄膜有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420288900.6 | 申請(qǐng)日： | 2014-05-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN204204894U | 公開（公告）日： | 2015-03-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李國強(qiáng) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 廣州市眾拓光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/02 | 分類號(hào)： | H01L33/02;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 湯喜友 |
| 地址： | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 鎵酸鋰 襯底 外延 生長 極性 gan 薄膜 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.在鎵酸鋰襯底上外延生長的非極性GaN薄膜，其特征在于：它由LiGaO2襯底以及在LiGaO2襯底上的脈沖激光沉積法制備的GaN緩沖層、分子束外延法制備的GaN薄膜組成；所述LiGaO2襯底以(100)面偏(110)方向0.2-1°為外延面;所述GaN緩沖層的厚度為30-50?nm；所述GaN薄膜的厚度為100-300?nm。
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