[實用新型]OLED顯示面板有效
| 申請號: | 201420282295.1 | 申請日: | 2014-05-29 |
| 公開(公告)號: | CN203883009U | 公開(公告)日: | 2014-10-15 |
| 發明(設計)人: | 孫韜;周偉峰 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 面板 | ||
技術領域
本實用新型涉及有機光電器件領域,特別涉及一種OLED顯示面板。
背景技術
OLED(Organic?Light-Emitting?Diode,有機發光二極管)器件具有響應速度快、視角寬、亮度高、低功耗等優異性能,并且為自發光器件,被認為是具有很大發展前景的下一代顯示技術。
OLED器件在透明陽極和陰極之間堆疊多層有機層,當器件上加正向電壓時,在外電場的作用下,空穴和電子分別由陽極和陰極注入有機小分子、高分子層內,帶有相反電荷的載流子在小分子、高分子層內遷移,在發光層復合,形成激子,激子把能量傳給發光分子,激發電子到激發態,激發態能量通過輻射失活,產生光子,形成發光。為提高陰極電子注入效率,需要降低陰極功函數,通常選用活波金屬,例如鎂、銀,但鎂、銀易與滲入進來的水汽、氧氣發生反應。另外空穴傳輸層(HTL)及電子傳輸層(ETL)對水汽、氧氣也非常敏感,很容易發生衰減,引起器件失效。有效的封裝可以防止水汽和氧氣的浸入,防止有機材料老化,延長OLED器件壽命。同樣,柔性OLED必須進行封裝,主要有蓋板式和薄膜封裝(TFE)。蓋板封裝包括超薄玻璃蓋(ultra?thin?cover?glass)材料、薄膜(film)材料。薄膜材料易于實現柔性OLED器件的封裝。但是不論何種封裝方式,都需要對于器件表面及側面很好的阻水,在封裝(barrier)結構與器件接觸部分,由于界面接觸及應力不匹配等原因是一條水汽氧氣入侵的路徑,直接影響OLED壽命。
如圖1所示,為現有技術中的OLED顯示面板。在襯底基板1上具有緩沖層2,其上分別為柵極、柵絕緣層、源極、漏極、層間絕緣層。在層間絕緣層上具有陽極3,陽極3上為窗口絕緣層,OLED器件4位于窗口絕緣層的開口中并與陽極3電連接,陰極5位于窗口絕緣層和OLED器件4之上并與OLED器件4電連接,封裝層6位于陰極5之上,封裝層可以為多層。在該OLED顯示面板中,水汽和氧氣沿著箭頭所示的方向浸入,與器件中的部分金屬材料發生反應,從而影響OLED壽命。防止有機材料老化,延長OLED器件壽命。
因此,本領域中急需一種能夠避免水汽氧氣入侵的影響、具有較長使用壽命的OLED面板結構。
實用新型內容
(一)解決的技術問題
本實用新型解決的技術問題是:如何提供一種OLED顯示面板,解決現有技術中在封裝結構與器件接觸部分界面接觸力及應力不匹配的問題。
(二)技術方案
為解決上述技術問題,本實用新型實施例提供了一種OLED顯示面板,具有襯底基板,所述襯底基板上具有OLED器件,在所述OLED器件之上具有封裝層,該OLED顯示面板在其周邊區域上具有非平面圖形結構,所述封裝層覆蓋于所述非平面圖形結構上。
其中,所述封裝層為一層或多層。
其中,所述非平面圖形結構為凹槽,所述凹槽的寬度w與單層封裝層的最小厚度t滿足w>t≥0.5w的關系。
其中,所述非平面圖形結構為凸起,所述凸起之間的間距d與單層封裝層的最小厚度t滿足d>t≥0.5d的關系。
其中,在所述襯底基板和所述OLED器件之間還依次具有緩沖層、柵極、柵絕緣層、源漏極、層間絕緣層,所述OLED器位于所述層間絕緣層上。
其中,所述非平面圖形結構形成于所述柵絕緣層上。
其中,所述柵絕緣層為氧化硅和/或氮化硅。
其中,所述凹槽的寬度w與單層封裝層的最小厚度t滿足t=0.5w的關系。
其中,所述凸起之間的間距d與單層封裝層的最小厚度t滿足t=0.5d的關系。
其中,所述凹槽或者凸起的橫截面形狀為弧形、三角形、矩形或者梯形。
(三)有益效果
本實用新型提供的OLED顯示面板通過在顯示面板的邊緣部分形成凹槽或凸起等非平面圖形結構,降低了氧氣水汽等對器件性能的影響,提升器件的性能,延長了OLED顯示面板的壽命。
附圖說明
圖1是現有技術提供的OLED顯示面板結構示意圖;
圖2是本實用新型的OLED顯示面板結構示意圖;
圖3是本實用新型的OLED顯示面板中非平面圖形結構位置示意圖;
圖4表示本實用新型中凹槽的橫截面形狀;
圖5表示本實用新型中凸起的橫截面形狀;
圖6表示實用新型非平面圖形結構與封裝層尺寸關系示意圖。
上述附圖中使用的附圖標記內容如下:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





