[實用新型]功率容量為100瓦的8dB衰減片

有效

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• 申請日: 2014-05-29
• 公開（公告）號: CN203950894U
• 公開（公告）日: 2014-11-19
• 發(fā)明（設計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權）人: 蘇州市新誠氏電子有限公司
• 主分類號: H01P1/22
• 分類號: H01P1/22
• 代理公司: 無
• 代理人: 無

技術領域

本實用新型涉及一種功率衰減片，特別涉及一種功率容量為100瓦的8dB衰減片。

背景技術

目前大多數(shù)通訊基站都是應用大功率陶瓷負載片來吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無法對基站的工作狀況做實時的監(jiān)控，當基站工作發(fā)生故障時無法及時地做出判斷，對設備沒有保護作用。而衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號，對基站進行實時監(jiān)控,從而對設備形成有效保護。

衰減片作為一個功率消耗元件，不能對兩端電路有影響，也就是說其應與兩端電路都是匹配的。目前國內(nèi)100W-8dB的氮化鋁陶瓷衰減片，其衰減精度不僅大多只能做到1G頻率以內(nèi)?，少數(shù)能做到2G，且衰減精度和設備配備的VSWR較難控制，輸出端得到的信號不符合實際要求。特別是在衰減片使用頻段高于2G時,其衰減精度往往達不到要求，回波損耗變大，滿足不了2G以上的頻段應用要求。

發(fā)明內(nèi)容

針對上述現(xiàn)有技術的不足，本實用新型要解決的技術問題是提供一種阻值滿足68.9±3%Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為8±0.5dB,駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足1.20:1max，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡的應用要求的功率容量為100瓦的8dB衰減片。

為解決上述技術問題，本實用新型采用如下技術方案：

包括一8.9*5.7*1MM的氮化鋁陶瓷基板，所述氮化鋁陶瓷基板的背面印刷有銀漿背導層，所述氮化鋁陶瓷基板的正面印刷有銀漿導線及5個黑色電阻，所述銀漿導線連接所述電阻形成衰減電路，所述5個黑色電阻的面積根據(jù)吸收功率的不同大小不一，所述5個黑色電阻采用兩次絲網(wǎng)印刷而成，所述背導層和所述銀漿導線采用端接地漿料導通，所述端接地漿料為銀漿。

優(yōu)選的，所述5個黑色電阻上印刷有統(tǒng)一的高溫透明保護膜。

優(yōu)選的，所述衰減電路上印刷有雙層保護膜。

上述技術方案具有如下有益效果：?該衰減片以8.9*5.7*1MM的氮化鋁基板作為基準，在設計思路上充分考慮了各個電阻對功率的吸收狀況，根據(jù)吸收功率的不同設計了不同的電阻面積，最大程度地優(yōu)化了產(chǎn)品的功率容量，同時改善了電路結構，改善了電路的駐波，并且通過電阻值的精確修改，得到了高精度的衰減值。同時該衰減片在上述氮化鋁基板的尺寸規(guī)格下可到達阻值68.9±3%Ω，在3G頻段以內(nèi)衰減精度為8±0.5dB,駐波要求在3G頻段內(nèi)滿足1.20:1max，能夠滿足目前4G網(wǎng)絡的應用要求且能夠承受100瓦的功率的技術要求，打破了原來衰減片只能應用于低頻的局面，使得衰減片能應用于4G的網(wǎng)絡。

上述說明僅是本實用新型技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本實用新型的技術手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本實用新型的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本實用新型的具體實施方式由以下實施例及其附圖詳細給出。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型的優(yōu)選實施例進行詳細介紹。

如圖1所示，該功率容量為100瓦的8dB衰減片包括一氮化鋁基板1，氮化鋁基板1的背面印刷有導體層，導體層由印刷銀漿印刷而成。氮化鋁基板1的正面印刷有電阻R1、R2、R3、R4、R5及銀漿導線2，銀漿導線2將電阻R1、R2、R3、R4、R5連接起來形成衰減電路，電阻R1、R2、R3、R4、R5上均印刷有高溫透明保護膜3，高溫透明保護膜3用于保護電阻R1、R2、R3、R4、R5。在整個電路即銀漿導線2及高溫透明保護膜3的上表面還印刷有一層保護膜4，保護膜4上再印刷有一層保護膜5，這樣可對整個電路進行包括，保護膜5上還可印刷品牌和型號。

該衰減片輸入端和接地的阻值為68.9±3%Ω，輸出端和接地端的阻值為68.9±3%Ω。信號從輸入端進入衰減片，從輸出端經(jīng)過R1、R2、R5、R3、R4對功率的逐步吸收，從輸出端輸出實際所需要的信號。