[實(shí)用新型]一種陣列基板及顯示裝置有效
申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420280147.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-05-28 |
公開(公告)號(hào): | CN203871327U | 公開(公告)日: | 2014-10-08 |
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫建;陳鵬駿;李成;安星俊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責(zé)任公司 |
主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,包括襯底基板、依次位于所述襯底基板上的金屬屏蔽層、緩沖層、頂柵型薄膜晶體管和公共電極;其中,所述頂柵型薄膜晶體管的源漏電極位于有源層的上方、且通過(guò)貫穿位于所述源漏電極與所述有源層之間的第一絕緣層的第一過(guò)孔與所述有源層電性連接,其特征在于,還包括:
與所述源漏電極同層設(shè)置的、用于電性連接所述金屬屏蔽層與所述公共電極、且通過(guò)貫穿所述第一絕緣層和所述緩沖層的第二過(guò)孔與所述金屬屏蔽層電性連接的第一連接部。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括:位于所述源漏電極與所述公共電極之間的第二絕緣層;
所述公共電極通過(guò)貫穿所述第二絕緣層的第三過(guò)孔與所述第一連接部電性連接。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,還包括:
位于所述公共電極上方的像素電極,位于所述像素電極與所述公共電極之間的第三絕緣層,以及與所述公共電極同層設(shè)置、且用于電性連接所述像素電極與所述源漏電極中的漏電極的第二連接部;其中,
所述第二連接部通過(guò)貫穿所述第二絕緣層的第四過(guò)孔與所述源漏電極中的漏電極電性連接;所述像素電極通過(guò)貫穿所述第三絕緣層的第五過(guò)孔與所述第二連接部電性連接。
4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括:
位于所述源漏電極與所述公共電極之間且與所述公共電極相互絕緣的像素電極,以及位于所述像素電極與所述源漏電極之間的第二絕緣層;
所述像素電極通過(guò)貫穿所述第二絕緣層的第六過(guò)孔與所述源漏電極中的漏電極電性連接。
5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,還包括:
位于所述像素電極與所述公共電極之間的第三絕緣層,以及與所述像素電極同層設(shè)置、用于電性連接所述公共電極與所述第一連接部的第三連接部;其中,
所述第三連接部通過(guò)貫穿所述第二絕緣層的第七過(guò)孔與所述第一連接部電性連接;所述公共電極通過(guò)貫穿所述第三絕緣層的第八過(guò)孔與所述第三連接部電性連接。
6.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的陣列基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的