[實用新型]用于測試MIM電容器件的測試結構有效
| 申請號： | 201420275405.1 | 申請日： | 2014-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN203894369U | 公開（公告）日： | 2014-10-22 |
| 發明（設計）人： | 劉紀濤 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/12 | 分類號： | G01R31/12;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 測試 mim 電容 器件 結構 | ||
1.一種用于測試MIM電容器件的測試結構，其特征在于，包括：第一MIM電容結構、第二MIM電容結構、第一測試焊墊、第二測試焊墊和第三測試焊墊；
所述第一MIM電容結構和第二MIM電容結構的結構相同，所述第一MIM電容結構和第二MIM電容結構均包括依次層疊的第一金屬電極、介質層和第二金屬電極；
其中，所述第一測試焊墊與所述第一MIM電容結構的第一金屬電極電連接，所述第二測試焊墊與所述第二MIM電容結構的第二金屬電極電連接，所述第三測試焊墊與所述第一MIM電容結構和第二MIM電容結構的第一金屬電極和第二金屬電極均電連接。
2.如權利要求1所述的用于測試MIM電容器件的測試結構，其特征在于，所述第三測試焊墊位于所述第一MIM電容結構和第二MIM電容結構之間，用于施加驅動電壓；
所述第一測試焊墊和第二測試焊墊位于所述第一MIM電容結構和第二MIM電容結構的兩側，用于分別讀取所述第一MIM電容結構和第二MIM電容結構的感應電流。
3.如權利要求1所述的用于測試MIM電容器件的測試結構，其特征在于，所述第一金屬電極采用的材料為鋁或者銅。
4.如權利要求1所述的用于測試MIM電容器件的測試結構，其特征在于，所述第二金屬電極采用的材料為鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭中的一種或任意組合。
5.如權利要求1所述的用于測試MIM電容器件的測試結構，其特征在于，所述介質層采用的材料為氮化硅。
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