[實(shí)用新型]一種氙氣燈安定器的電路結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201420275315.2 | 申請日: | 2014-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN203896576U | 公開(公告)日: | 2014-10-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 范茂林 | 申請(專利權(quán))人: | 廣州市悅照車燈有限公司 |
| 主分類號: | H05B41/285 | 分類號: | H05B41/285;H05B41/36 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 510640 廣東省廣州市花都區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氙氣 安定 電路 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及車用照明燈具技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種氙氣燈安定器的電路結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
周知,氙氣燈安定器是一種利用汽車蓄電池的12V或者24V直流電壓,經(jīng)過一系列的轉(zhuǎn)換、控制、保護(hù)、升壓、變頻等動作后,產(chǎn)生一個瞬間23000V的點(diǎn)火高壓對燈頭進(jìn)行點(diǎn)火,點(diǎn)亮后再維持85V的交流電壓,保持35W氙氣燈泡持續(xù)發(fā)光的重要電子元件。傳統(tǒng)的氙氣燈安定器在點(diǎn)燈的瞬間會產(chǎn)生23000V高壓電磁輻射,在其穩(wěn)定工作時,也會產(chǎn)生較大的電磁干擾和輻射,其引起電源輸入端的電壓紋波或者毛刺一般可以達(dá)到5V-20V,這些電磁干擾不僅會影響人員的身體健康,也會損壞汽車內(nèi)利用電路連接在一起的其他電子設(shè)備,比如電磁干擾會給音響信號帶來雜音、影響汽車儀表盤的正常工作等。
針對上述問題,為了能夠獲得更低的電磁輻射干擾,行業(yè)內(nèi)通常會在電源前端加入了EMI抑制電路,這種抑制電路能夠把電壓的紋波和毛刺控制在0.5V以內(nèi),極大地削減了安定器的電磁波干擾。
然而,在以下情況下均需要司機(jī)重新手動關(guān)閉大燈電源開關(guān),等待3-10秒,并再次手動開啟電源開關(guān)才能獲得照明,即:1、氙氣燈的工作原理決定了其在燈光頻繁開關(guān)的時候會出現(xiàn)一定概率的點(diǎn)不亮燈的情況;2、由氙氣燈和安定器組成的車輛照明系統(tǒng)在外界環(huán)境溫度(如強(qiáng)烈的機(jī)械振動、安定器電子元件局部溫度過高等)的影響下可能會出現(xiàn)小概率的熄滅現(xiàn)象。由于EMI抑制電路一般包含有較大容量的電感、電容等電子元件,當(dāng)燈體意外熄滅后,EMI抑制電路存儲的能量無法在瞬間內(nèi)被消耗,電路內(nèi)部的控制MCU芯片不會瞬時掉電,而處于帶電鎖定狀態(tài),不能立刻再次點(diǎn)亮燈泡,即使關(guān)掉電源,安定器也需要3至10s才能自然緩慢地消耗掉存儲的能量,在這段時間內(nèi),車燈再次上電也無法點(diǎn)亮燈泡;如此,極有可能導(dǎo)致駕駛?cè)藛T陷入危險的狀況中。
因此,有必要對氙氣燈安定器提出更多的要求,以在進(jìn)一步降低電磁干擾和電磁輻射的同時,提高氙氣燈的可靠性和實(shí)用性。
實(shí)用新型內(nèi)容
針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,本實(shí)用新型的目的在于提供一種電路結(jié)構(gòu)簡單、可靠性高、電磁干擾和輻射低、氙氣燈意外熄滅后二次上電時間更短的氙氣燈安定器的電路結(jié)構(gòu)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
一種氙氣燈安定器的電路結(jié)構(gòu),它包括直流電源、直流升壓電路、DC/AC全橋逆變器、高壓點(diǎn)燈電路、高速M(fèi)CU控制芯片和氙氣燈泡,所述直流升壓電路的初級側(cè)通過EMI抑制電路連接直流電源,所述直流升壓電路的次級側(cè)依次連接DC/AC全橋逆變器、高壓點(diǎn)燈電路和氙氣燈泡,所述直流升壓電路和DC/AC全橋逆變器還分別與高速M(fèi)CU控制芯片連接;
所述EMI抑制電路的輸出端與高速M(fèi)CU控制芯片之間還連接有起到釋放EMI抑制電路存儲的電能的作用的可控放電電路,所述直流電源的輸出端與高速M(fèi)CU控制芯片之間還連接有用于監(jiān)測直流電源的啟閉狀態(tài)的第一電壓信號檢測線。
優(yōu)選地,所述可控放電電路包括放電電阻、第一MOS管和第一MOS管驅(qū)動器,所述放電電阻串接在EMI抑制電路的輸出端與第一MOS管的漏極之間,所述第一MOS管的柵極通過第一MOS管驅(qū)動器連接高速M(fèi)CU控制芯片,所述第一MOS管的源極接地。
優(yōu)選地,所述直流電源依次通過手動開關(guān)和防反接二極管與EMI抑制電路連接,所述第一電壓信號檢測線的一端連接于手動開關(guān)與防反接二極管之間。
優(yōu)選地,所述EMI抑制電路的輸出端與高速M(fèi)CU控制芯片之間還連接有用于監(jiān)測輸入電壓的第二電壓信號檢測線,所述第一電壓信號檢測線與可控放電電路并聯(lián)設(shè)置。
優(yōu)選地,所述直流升壓電路包括升壓變壓器、第二MOS管、第二MOS管驅(qū)動器、整流二極管和儲能電容;
所述升壓變壓器的初級側(cè)的一端與EMI抑制電路的輸出端連接、另一端通過依次串聯(lián)第二MOS管、第二MOS管驅(qū)動器連接高速M(fèi)CU控制芯片,所述升壓變壓器的次級側(cè)的一端接地、另一端與整流二極管的正極連接,所述整流二極管的負(fù)極與DC/AC全橋逆變器連接并通過連接儲能電容后接地;
所述儲能電容的接地端與DC/AC全橋逆變器之間還連接有起到對直流升壓電路的輸出電流進(jìn)行監(jiān)測作用的電流監(jiān)測電阻,所述電流監(jiān)測電阻通過電流信號線連接高速M(fèi)CU控制芯片。
優(yōu)選地,所述整流二極管的負(fù)極與高速M(fèi)CU控制芯片之間還連接有用于對直流升壓電路的輸出電壓進(jìn)行監(jiān)測的第三電壓信號檢測線。
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