[實用新型]一種白光LED芯片

有效

• 申請號: 201420268567.2
• 申請日: 2014-05-23
• 公開（公告）號: CN203910851U
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 萬垂銘;許朝軍;姜志榮;姚述光;曾照明;肖國偉
• 申請（專利權）人: 晶科電子（廣州）有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/50
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100
• 代理人: 肖云

技術領域

本實用新型屬于LED技術領域，具體涉及一種白光LED芯片。

背景技術

白光LED芯片是采用Chip?Scale?Package(以下簡稱為“CSP”)技術實現的可以直接發白光的LED芯片，該類芯片具有體積小、發光角度大、可耐大電流驅動、制造成本低、方便下游客戶燈具設計。

當前LED白光芯片的普遍結構特征：倒裝芯片結構，電極在底部，正上面和4個側面均包覆熒光粉。正上方和四個側面的熒光粉層普遍采用Molding和壓合半固化的熒光片工藝來實現的，正上方和四個側面的熒光粉層是相同材料一體成型的結構。又如中國專利申請號201310039776.X公開了一種具有波長轉換層的發光二極管元件的結構，在倒裝LED芯片上制作熒光層，讓四個側面熒光粉距離底部電極保持一定高度，但是該結構會引起四個側面有藍光漏出，出現藍圈的問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種白光LED芯片，以解決現有制作工藝過程中容易污染LED芯片電極而影響白光LED芯片后工序的焊接不良和LED芯片側面漏光的問題。

為了實現上述實用新型目的，本實用新型所采用的技術方案如下：

一種白光LED芯片，包括一貼裝式LED芯片，在所述貼裝式LED芯片的外延襯底層上貼裝有預制成型的用于光色轉換的光轉換層薄片，在所述貼裝式LED芯片四周緊挨圍閉設置有用于防止LED芯片側面漏光的反光墻，所述反光墻連接在所述光轉換層薄片上。

進一步的，所述貼裝式LED芯片為倒裝LED芯片，其包括外延襯底層、生長在所述外延襯底層上表面的N型氮化鎵層、生長在所述N型氮化鎵層部分上表面的發光層、生長在所述N型氮化鎵層部分上表面的N型歐姆接觸層、生長在所述發光層上表面的P型氮化鎵層和生長在所述P型氮化鎵層部分上表面的P型歐姆接觸層，在所述P型氮化鎵層、P型歐姆接觸層、N型氮化鎵層和N型歐姆接觸層上表面還設置有絕緣層，在所述P型歐姆接觸層上表面的絕緣層上開設有第一通孔，在所述N型歐姆接觸層上表面的絕緣層上開設有第二通孔，在所述絕緣層上表面分別獨立設置有P電極鍵合層和N電極鍵合層，所述P電極鍵合層貫穿第一通孔與P型歐姆接觸層電連接，所述N電極鍵合層貫穿第二通孔與N型歐姆接觸層電連接。

進一步的，所述反光墻厚度在10-1000um之間。

進一步的，所述反光墻材料為在可見光區光反射率在95％以上的金屬材料。

進一步的，所述反光墻材料為金、銀、銅、鎳、鎢與鈦中的一種或多種的組合。

本實用新型在同一構思下，將貼裝式LED芯片直接貼裝在一預制成型的光轉換層薄片上，將反光墻直接做在預制成型的光轉換層薄片上。本實用新型在直接貼裝式LED芯片四個側面設置反光墻，使得本實用新型白光LED芯片四個側面不會出現漏藍光，同時能夠將光集中于正面發出提升白光LED芯片的發光效率。同時，本實用新型的這種結構有利于選擇倒貼LED芯片于預制成型的光轉換薄膜上，避免現有做法讓LED芯片底部電極受到污染，提高白光LED芯片后工序應用的焊接良率。

因此，本實用新型不僅能夠提升白光LED芯片的發光效率，而且能夠避免現有做法讓LED芯片底部電極受到污染和生產加工容易、產品良率高的優點。

附圖說明

圖1是本實用新型貼裝式LED芯片的結構示意圖；

圖2是本實用新型白光LED芯片的結構示意圖；

圖3a-圖3f是本實用新型實施例1制作方法過程示意圖；

圖4a-圖4c是本實用新型實施例2制作方法過程示意圖；

圖5a-圖5d是本實用新型實施例3制作方法過程示意圖。

圖中：

100、貼裝式LED芯片

101、外延襯底層????????????????????????102、N型氮化鎵層

103、發光層????????????????????????????104、N型歐姆接觸層

105、P型氮化鎵層???????????????????????106、P型歐姆接觸層

107、絕緣層????????????????????????????108、P電極鍵合層

109、N電極鍵合層

200、光轉換層薄片

300、反光墻

400、感光性材料層

具體實施方式