[實用新型]集成電路保護結構

有效

• 申請號: 201420265122.9
• 申請日: 2014-05-23
• 公開（公告）號: CN203883005U
• 公開（公告）日: 2014-10-15
• 發明（設計）人: 崔永明;張干;王作義;彭彪
• 申請（專利權）人: 四川廣義微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/60
• 代理公司: 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220
• 代理人: 梁田

1.集成電路保護結構，包括靜電保護器件，包圍所述靜電保護器件的保護環，所述保護環至少包括第一物理層、第二物理層、第一物理層和第二物理層之間通過多個的孔連接，其特征在于，在靜電保護環曲率最大的一處或多處區域下方埋設有泄放器件，所述泄放器件一端連接第一物理層或第二物理層，另一端連接靜電泄放導線。?

2.一種如權利要求1所述的集成電路保護結構，其特征在于，所述第一物理層和第二物理層為半導體工藝中任意兩個緊鄰的層。

3.一種如權利要求1所述的集成電路保護結構，其特征在于，所述第一物理層和第二物理層為上下緊鄰的金屬層。

4.?一種如權利要求1所述的集成電路保護結構，其特征在于，所述泄放二極管上方的孔密度小于靜電保護環其他區域，且曲率最大處沒有孔。

5.?一種如權利要求1所述的集成電路保護結構，其特征在于，所述靜電保護環為矩形，在矩形拐角處埋設有泄放器件。

6.?一種如權利要求5所述的集成電路保護結構，其特征在于，所述矩形拐角處的第一物理層和/或第二物理層被截去了直角部分。

7.?一種如權利要求1所述的集成電路保護結構，其特征在于，所述泄放器件為二極管、二極管形式連接的晶體管或MOS管、SCR器件中的一種。