[實用新型]側面進聲的硅麥克風封裝結構

有效

• 申請號: 201420260426.6
• 申請日: 2014-05-21
• 公開（公告）號: CN203840542U
• 公開（公告）日: 2014-09-17
• 發明（設計）人: 梅嘉欣;王剛;李剛;胡維
• 申請（專利權）人: 蘇州敏芯微電子技術有限公司
• 主分類號: H04R19/04
• 分類號: H04R19/04
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種側面進聲的硅麥克風封裝結構，所述硅麥克風封裝結構包括第一基板、MEMS傳感器、ASIC芯片、連接所述MEMS傳感器與所述ASIC芯片的引線以及固定于所述第一基板上的外殼，所述第一基板與所述外殼之間形成一個內部腔體，所述MEMS傳感器與所述ASIC芯片安裝于所述第一基板上且均暴露于所述內部腔體內，其特征在于：所述硅麥克風封裝結構設有位于第一側面的側壁，所述側壁設有向外貫穿所述第一側面的聲孔，所述聲孔與所述內部腔體相連通。

2.如權利要求1所述的硅麥克風封裝結構，其特征在于：所述硅麥克風封裝結構設有在高度方向上位于所述第一基板與所述外殼之間的介質層，所述外殼通過所述介質層而固定于所述第一基板上，所述聲孔側向貫穿所述介質層。

3.如權利要求2所述的硅麥克風封裝結構，其特征在于：所述介質層為鍍層，或者阻焊劑，或者粘接劑。

4.如權利要求3所述的硅麥克風封裝結構，其特征在于：所述聲孔由所述介質層不閉合的空缺形成。

5.如權利要求1所述的硅麥克風封裝結構，其特征在于：所述第一基板包括所述第一側面以及暴露于所述內部腔體內的上表面，所述MEMS傳感器與所述ASIC芯片位于所述上表面，所述聲孔形成于所述上表面上且側向貫穿所述第一側面。

6.如權利要求5所述的硅麥克風封裝結構，其特征在于：所述聲孔呈矩形且位于所述第一側面的中部。

7.如權利要求5所述的硅麥克風封裝結構，其特征在于：所述第一基板包括與所述上表面相對設置的下表面，所述聲孔進一步向下貫穿所述下表面。

8.如權利要求1所述的硅麥克風封裝結構，其特征在于：所述第一基板包括所述第一側面、暴露于所述內部腔體內的上表面以及與所述上表面相對設置的下表面，所述MEMS傳感器與所述ASIC芯片位于所述上表面；所述聲孔包括相互連通的第一聲孔以及第二聲孔，其中所述第一聲孔側向貫穿所述第一側面且向下貫穿所述下表面，所述第一聲孔向上未貫穿所述上表面；所述第二聲孔向上貫穿所述上表面。

9.如權利要求8所述的硅麥克風封裝結構，其特征在于：所述硅麥克風封裝結構包括位于所述第一基板下方且與所述第一基板相貼合的第二基板，所述第二基板設有與所述第一側面位于同一側的第二側面以及側向貫穿所述第二側面的聲腔，所述聲腔位于所述聲孔的下方且與所述聲孔連通，所述聲腔與所述聲孔共同形成一個聲道。

10.如權利要求9所述的硅麥克風封裝結構，其特征在于：所述聲腔在靠近所述第二側面處與所述第一聲孔靠近所述第一側面處上下對齊，所述聲腔在遠離所述第二側面處設有一個圓弧面。

11.如權利要求9所述的硅麥克風封裝結構，其特征在于：所述硅麥克風封裝結構包括位于所述第一基板與所述第二基板之間且用以聲學密封的鍍層，所述第一基板及/或所述第二基板設有將電信號引出的導電通孔。

12.如權利要求7所述的硅麥克風封裝結構，其特征在于：所述硅麥克風封裝結構包括位于所述第一基板下方且與所述第一基板相貼合的第二基板，所述聲孔位于所述第二基板的上方且未向下貫穿所述第二基板。

13.如權利要求1所述的硅麥克風封裝結構，其特征在于：所述外殼包括側板以及與所述側板分開制作的蓋板，所述側板位于所述第一基板與所述蓋板之間，所述側板的下端固定于所述第一基板上，所述側板的上端固定于所述蓋板上，所述側板包括所述第一側面以及所述聲孔，且所述聲孔相較于所述第一基板更靠近所述蓋板。

14.如權利要求1所述的硅麥克風封裝結構，其特征在于：所述外殼包括頂壁，所述硅麥克風封裝結構包括固定在所述頂壁上的蓋板，所述蓋板包括所述第一側面，所述聲孔包括相互連通的第一聲孔以及第二聲孔，其中所述第一聲孔側向貫穿所述第一側面，所述第二聲孔貫穿所述頂壁。