[實(shí)用新型]光傳感器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420256222.5 | 申請(qǐng)日: | 2014-05-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203871328U | 公開(公告)日: | 2014-10-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 賴芳奇;張志良;呂軍;陳勝 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州科陽光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/144 | 分類號(hào): | H01L27/144 |
| 代理公司: | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人: | 馬明渡;王健 |
| 地址: | 215143 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 傳感 器件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種光傳感器件,屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
光傳感器件已被廣泛地應(yīng)用于諸如數(shù)字相機(jī)、相機(jī)電話等的數(shù)字裝置中。光傳感器件模塊可包括用于將圖像信息轉(zhuǎn)換為電信息的光傳感器件。具體地講,光傳感器件可包括能夠?qū)⒐庾愚D(zhuǎn)換成電子以顯示和存儲(chǔ)圖像的半導(dǎo)體器件。圖像傳感器的示例包括電荷耦合器件(CCD)、互補(bǔ)金屬氧化硅(CMOS)圖像傳感器(CIS)等。
現(xiàn)有光傳感器件中圍堰邊緣與感應(yīng)芯片感光區(qū)都需要保留一定的距離,防止在玻璃滾膠、壓合的過程中,膠體溢到感應(yīng)芯片感光區(qū),影響成像品質(zhì)。由于溢膠的限制,圍堰的寬度純?cè)诒容^大的局限性,直接影響到CIS產(chǎn)品的可靠性,容易出現(xiàn)分層的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型目的是提供一種光傳感器件,該光傳感器件防止膠水?dāng)U散,同時(shí)與玻璃接錯(cuò)的圍堰部分,可以保證原來的寬度,在不減少支撐圍堰寬度保圖像傳感器件封裝結(jié)合力的前提下,流動(dòng)的部分聚集到缺口中,防止了膠水?dāng)U散,可靠性增加同時(shí)進(jìn)一步減少了器件體積。
為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:一種光傳感器件,包括圖像傳感芯片、透明蓋板,此圖像傳感芯片的上表面具有感光區(qū),所述透明蓋板邊緣和圖像傳感芯片的上表面邊緣之間具有支撐圍堰從而在透明蓋板和圖像傳感芯片之間形成空腔,此支撐圍堰與圖像傳感芯片之間通過膠水層粘合,圖像傳感芯片下表面的四周邊緣區(qū)域分布有若干個(gè)盲孔,所述圖像傳感芯片下表面和盲孔側(cè)表面具有鈍化層,此盲孔底部具有圖像傳感芯片的引腳焊盤,所述鈍化層與圖像傳感芯片相背的表面具有金屬導(dǎo)電圖形層,一防焊層位于金屬導(dǎo)電圖形層與鈍化層相背的表面,此防焊層上開有若干個(gè)通孔,一焊球通過所述通孔與金屬導(dǎo)電圖形層電連接,所述支撐圍堰由上下疊放的第一支撐圍堰層和第二支撐圍堰層組成,此第一支撐圍堰層與透明蓋板接觸,此第二支撐圍堰層與圖像傳感芯片接觸,所述第二支撐圍堰層內(nèi)側(cè)面若干個(gè)連續(xù)排列的缺口。
上述技術(shù)方案中進(jìn)一步改進(jìn)的方案如下:
1.?上述方案中,所述支撐圍堰厚度為20~50微米。
2.?上述方案中,所述支撐圍堰寬度為200~300微米。
由于上述技術(shù)方案運(yùn)用,本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)和效果:
本實(shí)用新型光傳感器件,其透明蓋板邊緣和圖像傳感芯片的上表面邊緣之間具有支撐圍堰從而在透明蓋板和圖像傳感芯片之間形成空腔,此支撐圍堰與圖像傳感芯片之間通過膠水層粘合,支撐圍堰由上下疊放的第一支撐圍堰層和第二支撐圍堰層組成,第二支撐圍堰層與圖像傳感芯片接觸,第二支撐圍堰層內(nèi)側(cè)面若干個(gè)連續(xù)排列的缺口,與透明蓋板接觸的第一支撐圍堰層采取光滑設(shè)計(jì),膠水在鍵合的過程中,缺口部位可以有效的聚集溢出的膠水,防止膠水?dāng)U散,同時(shí)與玻璃接錯(cuò)的圍堰部分,可以保證原來的寬度,在不減少支撐圍堰寬度保圖像傳感器件封裝結(jié)合力的前提下,流動(dòng)的部分聚集到缺口中,防止了膠水?dāng)U散,可靠性增加同時(shí)進(jìn)一步減少了器件體積。
附圖說明
附圖1為本實(shí)用新型光傳感器件結(jié)構(gòu)示意圖;
附圖2為本實(shí)用新型光傳感器件中支撐圍堰結(jié)構(gòu)示意圖。
以上附圖中:1、圖像傳感芯片;2、透明蓋板;3、感光區(qū);4、支撐圍堰;41、第一支撐圍堰層;42、第二支撐圍堰層;5、膠水層;6、盲孔;7、鈍化層;8、引腳焊盤;9、金屬導(dǎo)電圖形層;10、防焊層;11、通孔;12、焊球;13、空腔;14、缺口。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述:
實(shí)施例:一種光傳感器件,包括圖像傳感芯片1、透明蓋板2,此圖像傳感芯片1的上表面具有感光區(qū)3,所述透明蓋板2邊緣和圖像傳感芯片1的上表面邊緣之間具有支撐圍堰4從而在透明蓋板2和圖像傳感芯片1之間形成空腔13,此支撐圍堰4與圖像傳感芯片1之間通過膠水層5粘合,圖像傳感芯片1下表面的四周邊緣區(qū)域分布有若干個(gè)盲孔6,所述圖像傳感芯片1下表面和盲孔6側(cè)表面具有鈍化層7,此盲孔6底部具有圖像傳感芯片1的引腳焊盤8,所述鈍化層7與圖像傳感芯片1相背的表面具有金屬導(dǎo)電圖形層9,一防焊層10位于金屬導(dǎo)電圖形層9與鈍化層7相背的表面,此防焊層10上開有若干個(gè)通孔11,一焊球12通過所述通孔11與金屬導(dǎo)電圖形層9電連接,所述支撐圍堰4由上下疊放的第一支撐圍堰層41和第二支撐圍堰層42組成,此第一支撐圍堰層41與透明蓋板2接觸,此第二支撐圍堰層42與圖像傳感芯片1接觸,所述第二支撐圍堰層42內(nèi)側(cè)面若干個(gè)連續(xù)排列的缺口14。
上述支撐圍堰4厚度為28微米或者40微米。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





