[實用新型]光傳感器件有效
| 申請號: | 201420256222.5 | 申請日: | 2014-05-20 |
| 公開(公告)號: | CN203871328U | 公開(公告)日: | 2014-10-08 |
| 發明(設計)人: | 賴芳奇;張志良;呂軍;陳勝 | 申請(專利權)人: | 蘇州科陽光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/144 | 分類號: | H01L27/144 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 馬明渡;王健 |
| 地址: | 215143 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳感 器件 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種光傳感器件,屬于半導體技術領域。
背景技術
光傳感器件已被廣泛地應用于諸如數字相機、相機電話等的數字裝置中。光傳感器件模塊可包括用于將圖像信息轉換為電信息的光傳感器件。具體地講,光傳感器件可包括能夠將光子轉換成電子以顯示和存儲圖像的半導體器件。圖像傳感器的示例包括電荷耦合器件(CCD)、互補金屬氧化硅(CMOS)圖像傳感器(CIS)等。
現有光傳感器件中圍堰邊緣與感應芯片感光區都需要保留一定的距離,防止在玻璃滾膠、壓合的過程中,膠體溢到感應芯片感光區,影響成像品質。由于溢膠的限制,圍堰的寬度純在比較大的局限性,直接影響到CIS產品的可靠性,容易出現分層的問題。
發明內容
本實用新型目的是提供一種光傳感器件,該光傳感器件防止膠水擴散,同時與玻璃接錯的圍堰部分,可以保證原來的寬度,在不減少支撐圍堰寬度保圖像傳感器件封裝結合力的前提下,流動的部分聚集到缺口中,防止了膠水擴散,可靠性增加同時進一步減少了器件體積。
為達到上述目的,本實用新型采用的技術方案是:一種光傳感器件,包括圖像傳感芯片、透明蓋板,此圖像傳感芯片的上表面具有感光區,所述透明蓋板邊緣和圖像傳感芯片的上表面邊緣之間具有支撐圍堰從而在透明蓋板和圖像傳感芯片之間形成空腔,此支撐圍堰與圖像傳感芯片之間通過膠水層粘合,圖像傳感芯片下表面的四周邊緣區域分布有若干個盲孔,所述圖像傳感芯片下表面和盲孔側表面具有鈍化層,此盲孔底部具有圖像傳感芯片的引腳焊盤,所述鈍化層與圖像傳感芯片相背的表面具有金屬導電圖形層,一防焊層位于金屬導電圖形層與鈍化層相背的表面,此防焊層上開有若干個通孔,一焊球通過所述通孔與金屬導電圖形層電連接,所述支撐圍堰由上下疊放的第一支撐圍堰層和第二支撐圍堰層組成,此第一支撐圍堰層與透明蓋板接觸,此第二支撐圍堰層與圖像傳感芯片接觸,所述第二支撐圍堰層內側面若干個連續排列的缺口。
上述技術方案中進一步改進的方案如下:
1.?上述方案中,所述支撐圍堰厚度為20~50微米。
2.?上述方案中,所述支撐圍堰寬度為200~300微米。
由于上述技術方案運用,本實用新型與現有技術相比具有下列優點和效果:
本實用新型光傳感器件,其透明蓋板邊緣和圖像傳感芯片的上表面邊緣之間具有支撐圍堰從而在透明蓋板和圖像傳感芯片之間形成空腔,此支撐圍堰與圖像傳感芯片之間通過膠水層粘合,支撐圍堰由上下疊放的第一支撐圍堰層和第二支撐圍堰層組成,第二支撐圍堰層與圖像傳感芯片接觸,第二支撐圍堰層內側面若干個連續排列的缺口,與透明蓋板接觸的第一支撐圍堰層采取光滑設計,膠水在鍵合的過程中,缺口部位可以有效的聚集溢出的膠水,防止膠水擴散,同時與玻璃接錯的圍堰部分,可以保證原來的寬度,在不減少支撐圍堰寬度保圖像傳感器件封裝結合力的前提下,流動的部分聚集到缺口中,防止了膠水擴散,可靠性增加同時進一步減少了器件體積。
附圖說明
附圖1為本實用新型光傳感器件結構示意圖;
附圖2為本實用新型光傳感器件中支撐圍堰結構示意圖。
以上附圖中:1、圖像傳感芯片;2、透明蓋板;3、感光區;4、支撐圍堰;41、第一支撐圍堰層;42、第二支撐圍堰層;5、膠水層;6、盲孔;7、鈍化層;8、引腳焊盤;9、金屬導電圖形層;10、防焊層;11、通孔;12、焊球;13、空腔;14、缺口。
具體實施方式
下面結合實施例對本實用新型作進一步描述:
實施例:一種光傳感器件,包括圖像傳感芯片1、透明蓋板2,此圖像傳感芯片1的上表面具有感光區3,所述透明蓋板2邊緣和圖像傳感芯片1的上表面邊緣之間具有支撐圍堰4從而在透明蓋板2和圖像傳感芯片1之間形成空腔13,此支撐圍堰4與圖像傳感芯片1之間通過膠水層5粘合,圖像傳感芯片1下表面的四周邊緣區域分布有若干個盲孔6,所述圖像傳感芯片1下表面和盲孔6側表面具有鈍化層7,此盲孔6底部具有圖像傳感芯片1的引腳焊盤8,所述鈍化層7與圖像傳感芯片1相背的表面具有金屬導電圖形層9,一防焊層10位于金屬導電圖形層9與鈍化層7相背的表面,此防焊層10上開有若干個通孔11,一焊球12通過所述通孔11與金屬導電圖形層9電連接,所述支撐圍堰4由上下疊放的第一支撐圍堰層41和第二支撐圍堰層42組成,此第一支撐圍堰層41與透明蓋板2接觸,此第二支撐圍堰層42與圖像傳感芯片1接觸,所述第二支撐圍堰層42內側面若干個連續排列的缺口14。
上述支撐圍堰4厚度為28微米或者40微米。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





