[實用新型]一種太陽能電池有效
| 申請號: | 201420253543.X | 申請日: | 2014-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN203839392U | 公開(公告)日: | 2014-09-17 |
| 發明(設計)人: | 李琳琳;丁建;張慶釗;彭東陽;顧世海;韓安軍;郁操 | 申請(專利權)人: | 北京漢能創昱科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/075 | 分類號: | H01L31/075;H01L31/0352 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀麗 |
| 地址: | 102209 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 | ||
1.一種太陽能電池,其特征在于:包括具有下表面和上表面的N型結晶硅片;下表面劃分為交替間隔排列的若干P型區域和若干N型區域;沿遠離N型結晶硅片的方向,P型區域設置有依次堆疊的本征非晶硅層、P型摻雜非晶硅層和第一電極層,N型區域設置有依次堆疊的N型摻雜非晶硅層和第二電極層;相鄰P型區域和N型區域由絕緣隔離層隔開。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于:所述P型區域和所述N型區域的面積比為1:2~10;相鄰所述P型區域和所述N型區域間的絕緣隔離層寬度為20~100μm。
3.根據權利要求1或2所述的太陽能電池,其特征在于:沿遠離N型結晶硅片的方向,所述上表面依次堆疊設置有鈍化層和抗反射層。
4.根據權利要求3所述的太陽能電池,其特征在于:所述本征非晶硅層的厚度為5~20nm。
5.根據權利要求4所述的太陽能電池,其特征在于:沿平行于所述下表面的寬度方向,相鄰所述P型區域、所述N型區域以及設置在相鄰所述P型區域、所述N型區域間的所述絕緣隔離層的寬度和為500~2000μm。
6.根據權利要求4或5所述的太陽能電池,其特征在于:所述N型摻雜非晶硅層的厚度為5~20nm,所述P型摻雜非晶硅層的厚度為5~20nm。
7.根據權利要求6所述的太陽能電池,其特征在于:所述N型結晶硅片的厚度為120~200μm。
8.根據權利要求6所述的太陽能電池,其特征在于:所述鈍化層的厚度為5~20nm。
9.根據權利要求6所述的太陽能電池,其特征在于:所述抗反射層的厚度為60~90nm。
10.根據權利要求7-9任一所述的太陽能電池,其特征在于:所述P型摻雜非晶硅層和所述第一電極層之間還設置有透明導電層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





