[實用新型]激光勘查裝置有效
| 申請號: | 201420253423.X | 申請日: | 2014-05-16 |
| 公開(公告)號: | CN203870008U | 公開(公告)日: | 2014-10-08 |
| 發明(設計)人: | 李陽;楊洋 | 申請(專利權)人: | 李陽;楊洋 |
| 主分類號: | G01N21/01 | 分類號: | G01N21/01 |
| 代理公司: | 北京智匯東方知識產權代理事務所(普通合伙) 11391 | 代理人: | 康正德;薛峰 |
| 地址: | 100022 北京市朝陽*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 勘查 裝置 | ||
1.一種激光勘查裝置,發射用于現場勘查的光束,其特征在于,包括:
多個半導體激光單元(30),以陣列方式設置在底座(10)上;
匯聚反射鏡(40),設置在半導體激光單元陣列上方以反射所述多個半導體激光單元(30)發射的激光匯聚到出光口(22)以形成出射光束;和
調焦透鏡部件(20),設置在所述出光口(22),調焦透鏡部件(20)用于對所述出射光束進行調節。
2.根據權利要求1所述的激光勘查裝置,其特征在于,
所述底座(10)具有按陣列分布的安裝槽,所述半導體激光單元(30)設置在所述安裝槽內;
所述半導體激光單元(30)包括:半導體激光管(301)和套設在所述半導體激光管(301)上的準直透鏡(302)。
3.根據權利要求1或2所述的激光勘查裝置,其特征在于,
所述匯聚反射鏡(40)朝向所述半導體激光單元(30)的一面為反射鏡面(41),所述反射鏡面(41)呈階梯狀,所述反射鏡面(41)每個階梯面上均設置有多個拋物面反射鏡(42),所述拋物面反射鏡(42)的數量與所述半導體激光單元(30)的數量相同,并且每個所述拋物面反射鏡(42)與每個所述半導體激光單元(30)的位置一一對應以反射所述半導體激光單元(30)發射的激光。
4.根據權利要求3所述的激光勘查裝置,其特征在于,所述拋物面反射鏡(42)的形狀計算公式為:Y2=2PX;其中,
P為拋物面系數,范圍是100mm至100mm之間;
X為所述拋物面凹陷部分的半徑;
Y為所述拋物面凹陷部分的深度。
5.根據權利要求1或2所述的激光勘查裝置,其特征在于,
所述匯聚反射鏡(40)朝向所述半導體激光單元陣列的一面為反射鏡面(41),所述反射鏡面(41)呈階梯狀,所述反射鏡面(41)的階梯面與所述半導體激光單元(30)對應設置,所述反射鏡面(41)的階梯面對一排所述半導體激光單元(30)發射的激光進行反射。
6.根據權利要求2所述的激光勘查裝置,其特征在于,所述匯聚反射鏡(40)朝向所述半導體激光單元(30)的一面為反射鏡面(41),所述反射鏡面(41)呈拋物面狀。
7.根據權利要求6所述的激光勘查裝置,其特征在于,所述反射鏡面(41)的拋物面的計算公式為:Y2=2PX;其中,
P為拋物面系數,范圍是100mm至500mm之間;
X為所述拋物面凹陷部分的半徑;
Y為所述拋物面凹陷部分的深度。
8.根據權利要求7所述的激光勘查裝置,其特征在于,每個所述半導體激光單元(30)的激光發射方向對準所述反射鏡面(41)的中心。
9.根據權利要求8所述的激光勘查裝置,其特征在于,所述半導體激光單元(30)傾斜安裝在所述底座(10)上,所述半導體激光單元(30)與所述底座(10)所在平面之間的安裝角度為60度至120度。
10.根據權利要求1所述的激光勘查裝置,其特征在于,所述激光勘查裝置還包括冷卻風扇(50)和電源(60),所述冷卻風扇(50)連接在所述底座(10)上,所述冷卻風扇(50)朝向所述半導體激光單元(30)進行吹風,所述電源(60)通過導線連接所述半導體激光單元(30)。
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