[實(shí)用新型]N型晶體硅雙面電池

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420253264.3
• 申請(qǐng)日: 2014-05-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203839387U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高艷濤;張斌;邢國(guó)強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 奧特斯維能源（太倉(cāng)）有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0224
• 分類號(hào): H01L31/0224;H01L31/0328;H01L31/18
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 劉燕嬌

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種N型晶體硅雙面電池。

背景技術(shù)

雙面電池能更加充分的利用太陽(yáng)光，不僅正面入射的太陽(yáng)光還有背面的散射光等，提高了電池的發(fā)電量，該種電池更適合建筑一體化，以及垂直安裝等應(yīng)用，然而傳統(tǒng)的雙面電池結(jié)構(gòu)復(fù)雜，制備成本高，使得雙面電池大規(guī)模的走向市場(chǎng)遇到了瓶頸。

實(shí)用新型內(nèi)容

實(shí)用新型目的：本實(shí)用新型的目的在于提供一種N型晶體硅雙面電池，使得電池的穩(wěn)定性能提高，同時(shí)降低了對(duì)短波的吸收，提高了藍(lán)光響應(yīng)，提高了電池的短路電流密度，提升了電池效率。

技術(shù)方案：為實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案：

N型晶體硅雙面電池，包括N型硅襯底、硼摻雜層、電池的正極、氧化鋁鈍化層、氮化硅減反射層、離子注入磷摻雜層、氮化硅鈍化及減反射層、電池的負(fù)極，在N型硅襯底的上下表面分別設(shè)置了電池的正極和電池的負(fù)極，在電池的正極的下方設(shè)置硼摻雜層；在N型硅襯底的上表面設(shè)有氧化鋁鈍化層，在氧化鋁鈍化層的表面設(shè)有第一氮化硅減反射層；在N型硅襯底的下表面設(shè)有離子注入磷摻雜層，在離子注入磷摻雜層的表面設(shè)有第二氮化硅減反射層。

所述的N型硅襯底為電阻率在0.3Ω·cm～10Ω·cm之間的N型硅襯底。

所述的氧化鋁鈍化層的厚度為5～20nm。

所述的第一氮化硅減反射層的厚度為65～75nm，第二氮化硅減反射層的厚度為73～86nm。

實(shí)用新型原理：本實(shí)用新型通過(guò)在N型硅襯底上表面局部重?cái)U(kuò)硼，形成一個(gè)局域的PN結(jié)，在N型襯底的上面制備有Al₂O₃，該Al₂O₃帶有固定負(fù)電荷，并在Al₂O₃的下面的N型硅中誘導(dǎo)出P+的反型層；Al₂O₃的上面沉積有氮化硅減反射層電池背面有重?fù)降牧祝纬杀硤?chǎng)，背場(chǎng)采用SiN_x鈍化電池的雙面都可以受光發(fā)電，電極分布電池的兩面。

有益效果：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的N型晶體硅雙面電池，由于沒(méi)有硼摻雜的影響，使得電池穩(wěn)定性能提高，同時(shí)降低了對(duì)短波的吸收，提高了藍(lán)光響應(yīng)，提高電池的短路電流密度，電池效率得到提升；利用Al2O3帶有固定負(fù)電荷，在N型襯底的前表面誘導(dǎo)出一個(gè)P型反型層，提供前電場(chǎng)，替代了原有的PN節(jié)，具有很好的實(shí)用性。

附圖說(shuō)明

附圖1N型晶體硅雙面電池結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說(shuō)明。

如圖1所示，N型晶體硅雙面電池，包括N型硅襯底1、硼摻雜層2、電池的正極3、氧化鋁鈍化層4、氮化硅減反射層5、離子注入磷摻雜層6、氮化硅鈍化及減反射層7、電池的負(fù)極8，在N型硅襯底1的上下表面分別設(shè)置了電池的正極3和電池的負(fù)極8，在電池的正極3的下方設(shè)置硼摻雜層2；在N型硅襯底1的上表面設(shè)有氧化鋁鈍化層4，在氧化鋁鈍化層4的表面設(shè)有第一氮化硅減反射層5；在N型硅襯底1的下表面設(shè)有離子注入磷摻雜層6，在離子注入磷摻雜層6的表面設(shè)有第二氮化硅減反射層7。

其中，N型硅襯底1的電阻率在0.3Ω·cm到10Ω·cm之間。氧化鋁鈍化層4的厚度在5～20nm，并帶有5×102cm^-2～3×103cm^-2的固定負(fù)電荷。第一氮化硅減反射層5的厚度為65～75nm，第二氮化硅減反射層7的厚度為73～86nm。

實(shí)施例1

制備N型晶體硅雙面電池的方法，包括以下步驟：

1)化學(xué)清洗

對(duì)電阻率為0.3Ω·cm的N型硅襯底的表面絨面采用稀得氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在襯底的表面制備出金字塔形狀的陷光結(jié)構(gòu)，隨后用稀釋的鹽酸和氫氟酸進(jìn)行清洗，得到化學(xué)清洗過(guò)的N型硅襯底；

2)上表面印刷硼摻雜層

在化學(xué)清洗過(guò)的N型硅襯底的上表面印刷硼摻雜層，該印刷硼摻雜層的形狀與電池的正極的截面形狀吻合，印刷后在400℃的烘干爐中烘干，得到具備硼源的N型硅襯底；

3)下表面注入磷源并退火