[實用新型]一種用于高頻低壓系統的場效應管驅動電路

有效

• 申請號: 201420252052.3
• 申請日: 2014-05-17
• 公開（公告）號: CN203933358U
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 徐云鵬
• 申請（專利權）人: 徐云鵬
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于高頻低壓系統的場效應管驅動電路，其特征在于，包括穩壓電路、控制電路、保護電路和MOS管Q2，所述的穩壓電路由穩壓二極管D1和限流電阻R1組成，所述穩壓二極管D1的負極與驅動電壓Vg相連，所述限流電阻R1接在D1正極與所述MOS管Q1源極的兩端；所述的控制電路由二極管D2、穩壓管D3、MOS管Q1、電容C1和C2以及柵極輸入電阻R3組成，所述的二極管D2的正極與驅動電壓Vg相連，二極管D2的負極同時與所述電容C2的正極和所述MOS管Q1的漏極相連，所述穩壓管D3的正極與電容C2的負極相連，所述電容C1接在MOS管Q1的柵極與源極之間，所述的柵極輸入電阻R3與MOS管Q1的柵極相連；所述的柵極輸入電阻R2接在電容C1負極與MOS管Q柵極的兩端；所述的保護電路由限流電阻R2和濾波電容C3組成，所述的電阻R2接在電容C2的負極與MOS管Q2的柵極之間，所述的電容C3接在MOS管Q2的源極與柵極之間。

2.如權利要求1所述的一種用于高頻低壓系統的場效應管驅動電路，其特征在于，所述的MOS管Q1為英飛凌IPG20N06型，MOS管Q2為英飛凌IPD50N03型。