[實用新型]智能功率模塊驅動電路及智能功率模塊有效
| 申請號: | 201420247829.7 | 申請日: | 2014-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN203911735U | 公開(公告)日: | 2014-10-29 |
| 發明(設計)人: | 于文濤;馮宇翔 | 申請(專利權)人: | 美的集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/08 | 分類號: | H02M1/08 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人: | 胡海國 |
| 地址: | 528311 廣東省佛山市順德區*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 智能 功率 模塊 驅動 電路 | ||
1.一種智能功率模塊驅動電路,其特征在于,包括開關管驅動電路、IGBT開關管、MOS管、第一供電電源輸入端、第二供電電源輸入端、第一電子開關及第二電子開關;其中,
所述IGBT開關管的集電極與所述第一供電電源輸入端連接,所述IGBT開關管的發射極與所述第二供電電源輸入端連接,所述IGBT開關管的門極與所述開關管驅動電路連接;所述MOS管的漏極與所述IGBT開關管的集電極連接,所述MOS管的源極與所述IGBT開關管的發射極連接,所述MOS管的柵極分別與所述第一電子開關的第一端及所述第二電子開關的第一端連接;所述第一電子開關的第二端與所述IGBT開關管的門極連接;所述第二電子開關的第二端與所述MOS管的源極連接;所述第一電子開關的控制端及所述第二電子開關的控制端均與所述開關管驅動電路連接。
2.根據權利要求1所述的智能功率模塊驅動電路,其特征在于,所述MOS管為NMOS管。
3.根據權利要求2所述的智能功率模塊驅動電路,其特征在于,所述MOS管的閾值電壓大于所述IGBT開關管的閾值電壓。
4.一種智能功率模塊驅動電路,其特征在于,包括開關管驅動電路、IGBT開關管、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一供電電源輸入端及第二供電電源輸入端;其中,
所述IGBT開關管的集電極與所述第一供電電源輸入端連接,所述IGBT開關管的發射極與所述第二供電電源輸入端連接,所述IGBT開關管的門極與所述開關管驅動電路連接;所述第一MOS管的漏極與所述IGBT開關管的集電極連接,所述第一MOS管的源極與所述IGBT開關管的發射極連接,所述第一MOS管的柵極分別與所述第二MOS管的源極及所述第三MOS管的漏極連接;所述第二MOS管的漏極與所述IGBT開關管的門極連接;所述第三MOS管的源極與所述第一MOS管的源極連接;所述第二MOS管的柵極及所述第三MOS管的柵極均與所述開關管驅動電路連接。
5.根據權利要求4所述的智能功率模塊驅動電路,其特征在于,所述第一MOS管為NMOS管。
6.根據權利要求5所述的智能功率模塊驅動電路,其特征在于,所述第二MOS管為NMOS管,所述第三MOS管為PMOS管。
7.根據權利要求6所述的智能功率模塊驅動電路,其特征在于,所述第一MOS管的閾值電壓大于所述IGBT開關管的閾值電壓。
8.一種智能功率模塊,其特征在于,包括權利要求1至7中任一項所述的智能功率模塊驅動電路。
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H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態變換器內的放電管產生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





