[實用新型]雙極型功率晶體管基片有效
| 申請號： | 201420245891.2 | 申請日： | 2014-05-14 |
| 公開（公告）號： | CN203826396U | 公開（公告）日： | 2014-09-10 |
| 發明（設計）人： | 王強棟;霍彩紅;董軍平;劉青林;秦龍;潘宏菽 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號： | H01L29/73 | 分類號： | H01L29/73;H01L29/06 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產權事務所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雙極型 功率 晶體管 | ||
【權利要求書】：
1.一種雙極型功率晶體管基片，其特征在于：包括晶圓片（1），所述晶圓片（1）的下表面從上到下依次設有鈦金屬層（2）、鎳金屬層（3）和金金屬層（4）。
2.根據權利要求1所述的雙極型功率晶體管基片，其特征在于：所述鈦金屬層的厚度為????????????????????????????????????????????????。
3.根據權利要求1所述的雙極型功率晶體管基片，其特征在于：所述鎳金屬層的厚度為。
4.根據權利要求1所述的雙極型功率晶體管基片，其特征在于：所述金金屬層的厚度為。
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