[實用新型]晶圓清洗裝置

有效

• 申請號: 201420241909.1
• 申請日: 2014-05-12
• 公開（公告）號: CN203886856U
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發明（設計）人: 唐強;李廣寧
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;H01L21/67
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本實用新型涉集成電路制造技術領域，尤其涉及一種晶圓清洗裝置。

背景技術

一般來說，芯片生產全部工藝過程中，高達20％的步驟為晶圓清洗。晶圓表面有四大常見類型的污染：微細顆粒；有機殘余物；無機殘余物；需要去除的氧化層。晶圓清洗的目的是為了去除附著于晶圓表面上的有機化合物、金屬雜質或微細顆粒、需要去除的氧化層。

在金屬銅互連工藝流程中，金屬層可以由以下兩種方式生產，一種為使用物理氣相淀積(PVD)淀積金屬銅，另一種為使用電鍍(ECP)電鍍金屬銅(晶圓片必須浸泡于電化學鍍溶液里才能實現)。以上方法使晶圓表面及背面均淀積或者電鍍了金屬銅。在之后的化學機械研磨(CMP)金屬銅時，也會使晶圓背面產生多余的金屬銅。因此，在晶圓進行金屬銅電鍍或者淀積等工藝后，必須將晶圓背面的金屬銅清洗去除才能繼續后續工序。否則，晶圓背面的金屬銅會在后續工序中產生交叉污染的問題。其后果可能是金屬銅的污染會造成p-n接觸的漏電、縮減少數載子的生命期、降低閘極氧化層的崩潰電壓。其中，晶圓背面的金屬銅屬于微細顆粒污染，通常采用傳統的化學浸泡池和相應的清水沖洗除去。但是，現有技術中所使用的晶圓清洗裝置對于晶圓邊緣的金屬銅仍然無法清洗干凈。

綜上，亟需提供一種新的晶圓清洗裝置，以解決晶圓邊緣上的金屬銅未清洗干凈，進而影響后續工序，產生交叉污染，產品良率低的問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種晶圓清洗裝置，以解決現有技術中晶圓邊緣上的金屬銅未清洗干凈，進而影響后續工序，產生交叉污染，導致產品良率低的問題。

為了解決上述技術問題，本實用新型提供一種晶圓清洗裝置，所述晶圓清洗裝置，包括：邊緣清洗單元及嵌套于邊緣清洗單元內部的中央清洗單元；

所述邊緣清洗單元包括：清洗液儲存單元及呈喇叭狀分布的多個邊緣清洗管；其中，所述多個邊緣清洗管的輸入端均與所述清洗液儲存單元的輸出端連接。

可選的，在所述的晶圓清洗裝置中，所述多個邊緣清洗管的輸出端之間由金屬絲連接，并且金屬絲連接構成圓形，所述圓形的直徑為0.7d～0.9d，其中，d為晶圓的直徑。

可選的，在所述的晶圓清洗裝置中，所述邊緣清洗管的數量大于等于六個。

可選的，在所述的晶圓清洗裝置中，所述邊緣清洗單元還包括第二輸入管；所述第二輸入管與所述清洗液儲存單元的輸入端連接。

可選的，在所述的晶圓清洗裝置中，所述中央清洗單元包括：第一輸入管及與所述第一輸入管輸出端連接的中央清洗管；其中所述第一輸入管嵌套于所述第二輸入管內，并貫穿所述清洗液儲存單元。

可選的，在所述的晶圓清洗裝置中，中央清洗管的數量為三個，其中，每相鄰兩個中央清洗管之間成120ɑ。

可選的，在所述的晶圓清洗裝置中，所述中央清洗管長度均為1cm～3cm。

可選的，在所述的晶圓清洗裝置中，所述中央清洗管輸出端與所述邊緣清洗管輸出端之間的垂直距離為0.5cm～2cm。

可選的，在所述的晶圓清洗裝置中，所述邊緣清洗單元中流通的液體為硫酸和去離子水的混合液。

可選的，在所述的晶圓清洗裝置中，所述中央清洗單元中流通的液體為去離子水。

在本實用新型所提供的晶圓清洗裝置中，通過將多個邊緣清洗管呈喇叭狀分布設置，可以將晶圓邊緣上的金屬銅清洗干凈，避免了進行后續工序中，產生交叉污染；另外，所述第一輸入管輸出端連接有三個中央清洗管，可以將晶圓表面的中間位置的金屬銅清洗得更徹底，進而改善了整個晶圓表面的潔凈度，提高了產品的良率。

附圖說明

圖1是本實用新型實施例中晶圓清洗裝置的結構示意圖；

圖2是本實用新型實施例中晶圓清洗裝置的仰視圖；

圖3是本實用新型實施例中中央清洗單元的結構示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本實用新型提出的晶圓清洗裝置作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本實用新型的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。

請參考圖1，其為本實用新型實施例中晶圓清洗裝置的結構示意圖，如圖1所示，所述晶圓清洗裝置包括：邊緣清洗單元1及嵌套于邊緣清洗單元1內部的中央清洗單元2；所述邊緣清洗單元1包括：清洗液儲存單元10及呈喇叭狀分布的多個邊緣清洗管11；其中，所述多個邊緣清洗管11的輸入端均與所述清洗液儲存單元10的輸出端連接。