[實用新型]半導體可變電容器集成結構有效
| 申請號: | 201420241872.2 | 申請日: | 2014-05-12 |
| 公開(公告)號: | CN203812878U | 公開(公告)日: | 2014-09-03 |
| 發明(設計)人: | 甘正浩 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/00 | 分類號: | H01L27/00 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 可變電容器 集成 結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及半導體器件技術領域,特別是涉及一種半導體可變電容器集成結構。
背景技術
可變電容器(varactor)是一種電容值可變的電子器件,它的值由加載在兩端的電壓或者電流來控制??勺冸娙萜鞯闹饕獞檬窃谒^的電壓可控振蕩器(VCO)。比如,電壓控制振蕩器應用在需要可變的頻率的電路中,或者一個信號需要同步到一個參考信號上去。
圖1為現有技術中可變電容器的示意圖,圖2為圖1沿AA’線的剖面圖。在現有技術中,半導體的可變電容器1包括半導體襯底100,所述半導體襯底100包括深摻雜區101,深摻雜區101包括有源區110,半導體襯底100上具有多個眼第一方向X方向排列的多個柵極120,柵極120在第二方向Y方向延伸。一般的,在一個可變電容器1中,柵極120的個數并不做具體限制,可以根據需要進行設置,在圖1中示出了3個柵極120,柵極120的個數還可以為10個、20個、50個或更多。
在可靠性測試時,需要對可變電容器1的匹配性(不同的可變電容器1之間的電學性能是否一致)進行測試。一般的,匹配性測試需要兩個可變電容器1,一個可變電容器1的柵極120連接一墊片,另一個可變電容器1的柵極120連接另一墊片,測試儀器連接一墊片和另一墊片,從而測得兩個可變電容器1的匹配性。
然而,在現有的可變電容器匹配性測試結果不準確,容易受到周圍電器元件的影響,從而不能準確地分析可變電容器匹配性。
實用新型內容
本實用新型的目的在于,提供一種半導體可變電容器集成結構,能夠減少或避免周圍電器元件的影響,準確地測量可變電容器匹配性。
為解決上述技術問題,本實用新型提供一種半導體可變電容器集成結構,包括:
待測可變電容器組,由n個第一待測可變電容器和n個第二待測可變電容器排列形成,每個所述第一待測可變電容器的柵極均連接一第一墊片,每個所述第二待測可變電容器的柵極均連接一第二墊片;
若干個虛擬可變電容器,包圍所述待測可變電容器組;
其中,n為正整數。
進一步的,n大于等于2,所述第一待測可變電容器的柵極和所述第二待測可變電容器的柵極均在第一方向排列。
進一步的,多個所述第一待測可變電容器在所述第一方向排列形成第一組;
多個所述第二待測可變電容器在所述第一方向排列形成第二組;
所述第一組和第二組在第二方向依次交錯排列,形成陣列的所述待測可變電容器組,所述第一方向與第二方向垂直。
進一步的,所述陣列的每行和每列的兩端均具有至少一所述虛擬可變電容器。
進一步的,多個所述第一待測可變電容器在所述第二方向排列形成第一組;
多個所述第二待測可變電容器在所述第二方向排列形成第二組;
所述第一組和第二組在第一方向依次排列,形成陣列的所述待測可變電容器組,所述第一方向與第二方向垂直。
進一步的,所述陣列的每行和每列的兩端均具有至少一所述虛擬可變電容器。
進一步的,多個所述第一待測可變電容器和第二待測可變電容器在所述第一方向依次交錯排列形成第一組;
多個所述第二待測可變電容器和第一待測可變電容器在所述第一方向依次交錯排列形成第二組;
所述第一組和第二組在第二方向依次排列,形成陣列的所述待測可變電容器組,其中,所述第一待測可變電容器和第二待測可變電容器間隔陣列,所述第一方向與第二方向垂直。
進一步的,所述陣列的每行和每列的兩端均具有至少一所述虛擬可變電容器。
進一步的,所述第一待測可變電容器的結構與所述第二待測可變電容器的結構相同。
進一步的,所述虛擬可變電容器的結構、所述第一待測可變電容器的結構和所述第二待測可變電容器的結構均相同。
與現有技術相比,本實用新型提供的半導體可變電容器集成結構具有以下優點:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





