[實(shí)用新型]一種動態(tài)預(yù)充控制電路和閃存存儲系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420240462.6
• 申請日: 2014-05-12
• 公開（公告）號: CN204029386U
• 公開（公告）日: 2014-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳曉璐
• 申請（專利權(quán)）人: 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬;鄧猛烈

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及存儲技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種動態(tài)預(yù)充控制電路和閃存存儲系統(tǒng)。?

背景技術(shù)

閃存(Flash?Memory)是一種非揮發(fā)性的半導(dǎo)體存儲芯片，采用傳統(tǒng)的浮柵晶體管作為最小的存儲單元，在讀取所述閃存存儲器中的數(shù)據(jù)時，需要先通過靈敏放大器對閃存存儲器的位線進(jìn)行預(yù)充電，使得所述存儲單元的漏極穩(wěn)定在一個固定電壓，再進(jìn)行數(shù)據(jù)的輸出。?

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中靈敏放大器的預(yù)充控制電路圖。如圖1所示，所述靈敏放大器在第一控制端EN1使用一個負(fù)脈沖對所述閃存存儲器的位線進(jìn)行預(yù)充電，即當(dāng)所述第一控制端EN1輸入低電平，同時第二控制端EN2輸入低電平，第三控制端EN3輸入高電平時，所述預(yù)充控制電路開始對閃存存儲器WL進(jìn)行預(yù)充電，當(dāng)所述第一控制端EN1的輸入由低電平變?yōu)楦唠娖綍r，停止對閃存存儲器WL的預(yù)充電，所述負(fù)脈沖的脈沖寬度為一預(yù)先設(shè)計(jì)的固定值，因此，無法根據(jù)電流比較器的實(shí)際狀態(tài)進(jìn)行自適應(yīng)的調(diào)整對閃存存儲器的預(yù)充電時間。?

實(shí)用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種動態(tài)預(yù)充控制電路和閃存存儲系統(tǒng)，以解決預(yù)充控制電路不能根據(jù)負(fù)載的實(shí)際情況進(jìn)行自適應(yīng)預(yù)充電的問題。?

一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種動態(tài)預(yù)充控制電路，包括控制單元?和預(yù)充電單元，所述預(yù)充電單元通過位線與一負(fù)載連接，所述控制單元用于控制所述預(yù)充電單元對負(fù)載的預(yù)充電狀態(tài)；?

所述預(yù)充電單元用于根據(jù)所述控制單元的控制自適應(yīng)的對負(fù)載進(jìn)行預(yù)充電或關(guān)斷對負(fù)載的預(yù)充電，?

所述控制單元包括第一控制端、第一NMOS管、第二NMOS管、反相器和第一PMOS管，?

所述第一控制端與所述第一NMOS管的柵極連接，所述第一NMOS管的源極與所述反相器的輸入端和所述預(yù)充電單元的中點(diǎn)連接，所述第一NMOS管的漏極接地，所述第二NMOS管的柵極與所述第一控制端連接，所述第二NMOS管的源極與所述第一PMOS管的漏極連接，所述第二NMOS管的漏極接地，所述反相器的輸入端與所述預(yù)充電單元連接，所述反相器的輸出端與所述第一PMOS管的柵極連接，所述第一PMOS管的源極與電源連接，所述第一PMOS管的漏極與所述第二NMOS管的源極連接。?

進(jìn)一步地，所述預(yù)充電單元包括第二控制端、第三控制端、第四控制端、第二PMOS管、第三PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，?

所述第二PMOS管的柵極與所述第二控制端連接，所述第二控制端為所述控制單元中第一PMOS管的漏極和第二NMOS管的源極的中點(diǎn)，所述第二PMOS管的源極與電源連接，所述第二PMOS管的漏極與所述第三NMOS管的源極連接，所述第三PMOS管的柵極與所述第三控制端連接，所述第三PMOS管的源極與電源連接，所述第三PMOS管的漏極與所述第四NMOS管的源極連接，所述第三PMOS管的漏極和第四NMOS管的源極的中點(diǎn)為所述預(yù)充電單元的輸出端，所述預(yù)充電單元的輸出端與所述控制單元中反相器的輸入端連接，所述第三NMOS管的柵極與所述第四控制端連接，所述第三NMOS管的源極與?第二PMOS管的漏極連接，所述第三NMOS管的漏極與位線連接，所述第四NMOS管的柵極與所述第四控制端連接，所述第四NMOS管的源極與第三PMOS管的漏極連接，所述第四NMOS管的漏極與位線連接。?

進(jìn)一步地，所述動態(tài)預(yù)充控制電路還包括第六NMOS管，所述第六NMOS管的柵極與電源連接，所述第六NMOS管的源極與位線連接，所述第六NMOS管的漏極與負(fù)載連接。?

進(jìn)一步地，所述預(yù)充電單元用于根據(jù)所述控制單元的控制自適應(yīng)的對負(fù)載進(jìn)行預(yù)充電或關(guān)斷對負(fù)載的預(yù)充電具體為：?

當(dāng)所述第一控制端輸入高電平，并且所述第四控制端輸入低電平時，所述第二控制端為低電平；?

當(dāng)所述第一控制端輸入低電平，并且所述第四控制端輸入高電平時，所述預(yù)充電單元對所述負(fù)載進(jìn)行預(yù)充電，當(dāng)所述預(yù)充電單元的輸出端的電壓達(dá)到所述反相器的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)時，所述第二控制端被充到高電平，所述預(yù)充電單元關(guān)斷對所述負(fù)載的預(yù)充電。?

進(jìn)一步地，所述反相器的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)為所述預(yù)充電單元輸出端的靜態(tài)工作點(diǎn)。?

進(jìn)一步地，所述第三控制端輸入一固定的低電平，所述固定的低電平使得所述第三PMOS管導(dǎo)通。?

另一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種閃存存儲系統(tǒng)，所述閃存存儲系統(tǒng)包括閃存存儲器和用于讀取所述閃存存儲器中數(shù)據(jù)的靈敏放大器，其中，所述靈敏放大器中包括動態(tài)預(yù)充控制電路，所述動態(tài)預(yù)充控制電路包括上述任一項(xiàng)所述的動態(tài)預(yù)充控制電路。?