[實用新型]一種存儲器中位線的預充電系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420239361.7
• 申請日: 2014-05-12
• 公開（公告）號: CN203858864U
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳曉璐
• 申請（專利權(quán)）人: 北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬;鄧猛烈

1.一種存儲器中位線的預充電系統(tǒng)，其特征在于，包括：靈敏放大器和與其電路結(jié)構(gòu)匹配且與其連接的虛擬靈敏放大器，其中，所述虛擬靈敏放大器通過虛擬位線與多個虛擬存儲單元連接，用于對所述虛擬位線進行預充電并產(chǎn)生輸出給所述靈敏放大器的預充控制信號；

所述靈敏放大器通過位線與多個存儲單元連接，用于根據(jù)所述預充控制信號對所述位線進行預充電；

其中，所述虛擬靈敏放大器對所述虛擬位線的預充電與所述靈敏放大器對所述位線的預充電同步進行，且控制所述靈敏放大器結(jié)束對所述位線進行預充電的所述預充控制信號根據(jù)所述虛擬位線的預充電情況經(jīng)兩級判據(jù)產(chǎn)生。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預充電系統(tǒng)，其特征在于，所述兩級判據(jù)包括第一級判據(jù)和第二級判據(jù)，其中，所述第一級判據(jù)用于判斷所述靈敏放大器對所述位線是否進行正常預充電，所述第二級判據(jù)用于在通過所述第一級判據(jù)的基礎(chǔ)上判斷所述靈敏放大器對所述位線是否完成預充電。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的預充電系統(tǒng)，其特征在于，所述虛擬靈敏放大器包括第一預充電單元、第一判斷單元、第二判斷單元和信號產(chǎn)生單元，其中，所述第一預充電單元用于根據(jù)第一信號對所述虛擬位線進行預充電；

所述第一判斷單元用于根據(jù)所述虛擬位線的預充電情況進行第一級判據(jù)并產(chǎn)生輸出給所述信號產(chǎn)生單元的第一控制信號；

所述第二判斷單元用于根據(jù)所述虛擬位線的預充電情況進行第二級判據(jù)并產(chǎn)生輸出給所述信號產(chǎn)生單元的第二控制信號；

所述信號產(chǎn)生單元用于根據(jù)第二信號、所述第一控制信號和所述第二控制信號產(chǎn)生輸出給所述靈敏放大器的預充控制信號。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的預充電系統(tǒng)，其特征在于，所述靈敏放大器包括控制單元和第二預充電單元，其中，所述控制單元用于根據(jù)所述虛擬靈敏放大器的信號產(chǎn)生單元輸出的預充控制信號和所述第二信號產(chǎn)生輸出給所述第二預充電單元的第三控制信號；

所述第二預充電單元根據(jù)所述第三控制信號和所述第一信號對所述位線進行預充電。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的預充電系統(tǒng)，其特征在于，所述虛擬靈敏放大器的第一預充電單元包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、節(jié)點、用于接收所述第一信號的第一信號端和用于接收第三信號的第三信號端，其中，所述第一PMOS管的源極接電源，所述第一PMOS管的柵極接地，所述第一PMOS管的漏極與所述第一NMOS管的漏極連接，所述第一NMOS管的柵極與所述第一信號端和所述第二NMOS管的柵極連接，所述第一NMOS管的源極與所述虛擬位線連接，所述第二NMOS管的源極與所述虛擬位線連接，所述第二NMOS管的漏極通過所述節(jié)點與所述第二PMOS管的漏極連接，所述第二PMOS管的柵極接所述第三信號端，所述第二PMOS管的源極接所述電源；

所述虛擬靈敏放大器的第一判斷單元包括：第一反相器，其中，所述第一反相器的輸入端與所述虛擬位線連接，所述第一反相器的輸出端與所述信號產(chǎn)生單元連接；

所述虛擬靈敏放大器的第二判斷單元包括：第二反相器，其中，所述第二反相器的輸入端與所述第一預充電單元的節(jié)點連接，所述第二反相器的輸出端與所述信號產(chǎn)生單元連接；

所述虛擬靈敏放大器的信號產(chǎn)生單元包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第三反相器和用于接收所述第二信號的第二信號端，其中，所述第三PMOS管的柵極與所述第二判斷單元的第二反相器的輸出端連接，所述第三PMOS管的源極接所述電源，所述第三PMOS管的漏極與所述第四PMOS管的源極連接，所述第四PMOS管的柵極與所述第一判斷單元的第一反相器的輸出端連接，所述第四PMOS管的漏極與所述第三反相器的輸入端和所述第四NMOS管的漏極連接，所述第四NMOS管的源極接地，所述第四NMOS管的柵極與所述第二信號端和所述第三NMOS管的柵極連接，所述第三NMOS管的漏極與所述第二判斷單元的第二反相器的輸入端連接，所述第三NMOS管的源極接地，所述第三反相器的輸出端與用于輸出所述預充控制信號的所述虛擬靈敏放大器的輸出端連接。