[實(shí)用新型]等離子體刻蝕機(jī)臺(tái)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201420235205.3
• 申請日: 2014-05-08
• 公開（公告）號(hào): CN203895414U
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張海洋;張城龍
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/67
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種等離子體刻蝕機(jī)臺(tái)，其特征在于，包括：反應(yīng)腔室；設(shè)置于所述反應(yīng)腔室頂部的頂盤；設(shè)置于所述頂盤上的徑向線槽天線；設(shè)置于所述頂盤上的脈沖電感耦合線圈；以及設(shè)置于所述反應(yīng)腔室底部的靜電吸盤。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子體刻蝕機(jī)臺(tái)，其特征在于，還包括脈沖電源，所述脈沖電源與所述靜電吸盤連接。

3.如權(quán)利要求2所述的等離子體刻蝕機(jī)臺(tái)，其特征在于，所述脈沖電源的頻率為100KHz～100MHz。

4.如權(quán)利要求2所述的等離子體刻蝕機(jī)臺(tái)，其特征在于，所述徑向線槽天線、脈沖電感耦合線圈以及脈沖電源能夠被同步或者異步開啟。

5.如權(quán)利要求1所述的等離子體刻蝕機(jī)臺(tái)，其特征在于，還包括噴淋盤，所述噴淋盤固定于所述頂盤上。

6.如權(quán)利要求5所述的等離子體刻蝕機(jī)臺(tái)，其特征在于，所述噴淋盤的材質(zhì)為石英。

7.如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的等離子體刻蝕機(jī)臺(tái)，其特征在于，所述靜電吸盤分為多個(gè)獨(dú)立溫控區(qū)。

8.如權(quán)利要求7所述的等離子體刻蝕機(jī)臺(tái)，其特征在于，每個(gè)獨(dú)立溫控區(qū)的溫度調(diào)節(jié)范圍為0℃～200℃。

9.如權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的等離子體刻蝕機(jī)臺(tái)，其特征在于，所述頂盤與靜電吸盤之間的距離能夠調(diào)節(jié)。

10.如權(quán)利要求9所述的等離子體刻蝕機(jī)臺(tái)，其特征在于，所述頂盤與靜電吸盤之間的距離的調(diào)節(jié)范圍為10mm～50mm。