[實用新型]紅外線感應器的封裝結構有效
| 申請號: | 201420229995.4 | 申請日: | 2014-05-06 |
| 公開(公告)號: | CN203839385U | 公開(公告)日: | 2014-09-17 |
| 發明(設計)人: | 馮海濤;施光典 | 申請(專利權)人: | 深圳萊特光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0203 | 分類號: | H01L31/0203;H01L31/09;G01J1/04 |
| 代理公司: | 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429 | 代理人: | 張曉霞 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 紅外線 感應器 封裝 結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種紅外線傳感器,用于接收紅外線。
背景技術
現有的紅外線接收傳感器均包括設置在鋁基板上的紅外線接受管、前置放大電路FET管等元件,它們密封在作為金屬屏蔽罩的外殼中。其中外殼的上表面上開有窗口,在窗口處設有透鏡或透明通光體。外界的紅外線通過窗口進入外殼內,被PIN二極管捕獲轉化成電信號,經由FET管放大處理后傳遞給A/D轉換電路。例如中國專利申請號為CN200920216915.0、公開日期為2010年6月16的專利申請,其公開了一種基于PIN—FET技術的紅外光接受組件。其公開的結構為常見一種紅外傳感器結構。
上述結構的紅外線傳感器,其外殼上表面的窗口面積所占上表面總的面積的比例很低,造成其靈敏度偏低。為了提高靈敏度,如果擴大窗口的面積,減小上表面的面積,則會導致金屬屏蔽罩的屏蔽作用減弱。所以目前比較可行的增加靈敏度的方案是改進聚光透鏡的性能以及提高PIN二極管本身的感光靈敏度。
實用新型內容
為了克服現有技術的不足,本實用新型所要解決的技術問題是提供一種紅外線感應器的封裝結構,用來解決現有紅外傳感器的靈敏度偏低的問題,該紅外線傳感器具有更高的靈敏度。
為解決上述問題,本實用新型所采用的技術方案如下:
一種紅外線感應器的封裝結構,包括透鏡和位于透鏡下方的PIN二極管,PIN二極管位于金屬的外殼內,且設于鋁基板上,外殼的上面上設有窗口,透鏡設在窗口上,PIN二極管與FET管電性連接;
在所述外殼側邊的內側設有導光板,導光板且圍繞在所述PIN二極管的周圍;
所述導光板為側入式導光結構,其包括位于導光板上面的入光面、位于導光板內側面的出光面和位于導光板外側面的背光面;其中導光板的入光面位于所述外殼的上面,背光面位于外殼的側邊內側,出光面朝向所述PIN二極管;
所述窗口位于所述導光板上面的中間區域,所述透鏡固定在所述窗口上,其底部邊緣由導光板的上面支撐。
優選地:在所述背光面上設有側邊反射層。
優選地:所述外殼包括腔體,腔體由導光板合圍形成,在腔體內填充有封裝膠。封裝膠一般是環氧樹脂,也可以是透明硅膠。
優選地:在所述導光板的下面設有底部反射層。
優選地:在所述入光面上設有金屬材質的增透膜。金屬的增透膜除了起到增加入射光的作用外,還可以起到一定的電磁屏蔽的作用。
優選地:在所述外殼內壁的側面或底面設有反射層。
本實用新型的有益效果在于:
相比現有技術,本實用新型在外殼內部采用了側入式導光板技術,該導光板設置的PIN二極管周圍。外界的光通過導光板側邊的入光面進入導光板,由出光面射向PIN二極管。由于導光板的側面可以整體拾光,加上透鏡的拾光效率,因此,整個器件的采集光的效率大大提升,因此其靈敏度也有很大的提升。
附圖說明
圖1為本實用新型的剖面結構示意圖。
圖2是本實用新型的俯視結構示意圖。
其中,1、透鏡,2、窗口,3、增透膜,4、側邊反射層,5、外殼,6、腔體,7、導光板,8、散射粒子,9、底部反射層,10、鋁基板,11、PIN二極管,12、FET管,14、引腳,15、背光面,16、入光面,17、出光面。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細說明。
本實用新型的紅外線傳感器的結構參見圖1和圖2。該紅外線感應器的封裝結構包括聚光的透鏡1和位于透鏡下方的PIN二極管11,PIN二極管11位于金屬的外殼內,且設于電路板上,即鋁基板10上,外殼5的上面上設有窗口2,透鏡1設在窗口2上,PIN二極管11與前置放大器——FET管(場效應管)12電性連接。
外殼為四邊形,在外殼側邊的內側設有導光板7,導光板7且圍繞在PIN二極管11的周圍。圖2中的導光板由四塊小的導光板切割拼接形成。
導光板7為側入式導光結構,其包括位于導光板上面的入光面16、位于導光板內側面的出光面17和位于導光板外側面的背光面15。其中導光板的入光面16位于外殼的上面,背光面158位于外殼的側邊內側,出光面17向下傾斜朝向PIN二極管11。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





