[實(shí)用新型]一種減小開關(guān)時(shí)間的VDMOS器件版圖結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201420229711.1
• 申請(qǐng)日: 2014-05-06
• 公開（公告）號(hào): CN203910811U
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白朝輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西安衛(wèi)光科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/423
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 蔡和平

1.一種減小開關(guān)時(shí)間的VDMOS器件版圖結(jié)構(gòu)，包括器件元胞，所述器件元胞包括由下至上依次分布的襯底層和外延層，在外延層中分布有有源區(qū)和漂移區(qū)，在外延層的上部分布有場氧層和柵氧層，在場氧層和柵氧層的上部分布有多晶硅層，在多晶硅層上方分布有第一鈍化層，在有源區(qū)多晶硅窗口中部和第一鈍化層上方分布有鋁電極層，鋁電極層上方分布有第二鈍化層；其特征在于，有源區(qū)劃分的區(qū)域?yàn)橛性磪^(qū)多晶硅窗口，有源區(qū)多晶硅窗口周邊分布的多晶硅層上對(duì)稱分布有挖空的多晶孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減小開關(guān)時(shí)間的VDMOS器件版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有源區(qū)多晶硅窗口為正方形、條形或正六邊形。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的減小開關(guān)時(shí)間的VDMOS器件版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述挖空的多晶孔為長方形，長方形的挖空的多晶孔對(duì)應(yīng)在正方形、條形或正六邊形的有源區(qū)多晶硅窗口的對(duì)應(yīng)邊上，且挖空的多晶孔的寬度不超過兩個(gè)器件元胞有源區(qū)多晶硅窗口之間寬度的1/2，長度與器件元胞有源區(qū)多晶硅窗口邊長相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減小開關(guān)時(shí)間的VDMOS器件版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多晶硅層呈多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。