[實用新型]具有溫度補償功能的基準電壓產生電路有效
| 申請號: | 201420228571.6 | 申請日: | 2014-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN203825522U | 公開(公告)日: | 2014-09-10 |
| 發明(設計)人: | 呂航;王斌;田冀楠;盛敬剛;李妥;王曉暉;代云龍;陳艷梅 | 申請(專利權)人: | 北京同方微電子有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/567 | 分類號: | G05F1/567 |
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| 地址: | 100083 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 溫度 補償 功能 基準 電壓 產生 電路 | ||
1.具有溫度補償功能的基準電壓產生電路,其特征在于,它包括依次連接的正溫度系數電壓產生電路(11)和類LDO電路(22),正溫度系數電壓產生電路(11)輸出的具有正溫度系數的電壓通過類LDO電路(22)與具有負溫度系數的電壓進行疊加后,在類LDO電路(22)的輸出端輸出低溫度系數的基準參考電壓(Vref);所述正溫度系數電壓產生電路(11)由單級或多級單元電路組成,每級單元電路包括采用MOS管的偏置電流源P和兩個NMOS管,各級單元電路順序級聯,每級單元電路中的NMOS管A的柵極與NMOS管B的柵極相連接后分別接至NMOS管A的漏極與偏置電流源P的漏極,NMOS管A的源極與NMOS管B的漏極相連接,偏置電流源P產生的電流經過該級NMOS管A與NMOS管B后由NMOS管B的源極連接至下一級單元電路中NMOS管A的源極和NMOS管B的漏極,最后一級單元電路中NMOS管B的源極接地,第一級單元電路中NMOS管A源極與NMOS管B漏極的連接點作為輸出節點;所述類LDO電路(22)包括運算放大器和輸出單元,運算放大器包括晶體管零(M0)、晶體管一(M1)、晶體管二(M2)、晶體管三(M3)和晶體管四(M4),輸出單元包括功率管五(M5)、功率管六(M6)和功率管七(M7),其中晶體管零(M0)的柵極與正溫度系數電壓產生電路(11)的輸出節點相連接,晶體管零(M0)的源極與晶體管一(M1)的源極相連并接至晶體管四(M4)的漏極,晶體管二(M2)的柵極與晶體管三(M3)的柵極相連并接至晶體管三(M3)的漏極,晶體管二(M2)與晶體管三(M3)構成自偏置電流鏡,晶體管零(M0)的漏極與晶體管二(M2)的漏極相連并接至輸出單元的功率管六(M6)的柵極,晶體管一(M1)的柵極分別與功率管五(M5)的漏極和柵極相連接,功率管五(M5)的源極與功率管六(M6)的漏極相連且以該節點作為所需基準參考電壓點,功率管七(M7)的柵極連接到晶體管四(M4)的柵極,功率管七(M7)的的漏極接功率管五(M5)的的漏極,功率管七(M7)的源極接地,所述多級的單元電路通過在除最后一級之外的其它單元電路中將NMOS管B的源極經開關接地來控制整個電路的級數及對電路輸出進行調整。
2.根據權利要求1所述的具有溫度補償功能的基準電壓產生電路,其特征在于,所述每級單元電路中的NMOS管A和NMOS管B均工作在亞閾值區。
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