[實用新型]一種陣列基板及液晶顯示裝置有效
| 申請號: | 201420222657.8 | 申請日: | 2014-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN203826391U | 公開(公告)日: | 2014-09-10 |
| 發明(設計)人: | 李會;崔賢植;方正;王海燕;田允允 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1337;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 液晶 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:襯底基板,位于所述襯底基板上由柵線和數據線圍設而成的多個子像素區域,每一子像素區域設置有:薄膜晶體管TFT、位于所述TFT上方的公共電極,以及位于所述公共電極上方的取向膜;
所述取向膜的取向方向與所述柵線的延伸方向具有設定夾角,所述公共電極上與所述TFT對應的區域設置有沿設定方向延伸的鏤空區域,所述鏤空區域的延伸方向與所述取向膜的取向方向一致。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述TFT包括有源層,所述鏤空區域位于所述有源層上方,所述有源層在所述襯底基板上的投影位于所述鏤空區域在所述襯底基板上的投影內。
3.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述鏤空區域的縱截面的形狀為倒梯形。
4.根據權利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述鏤空區域的橫截面為平行四邊形。
5.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述鏤空區域為倒置四棱臺結構。
6.根據權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述倒置四棱臺狀的鏤空區域具有靠近所述取向膜的第一開口和遠離所述取向膜的第二開口,所述第一開口圖形的任意一邊與所述第二開口圖形中相平行的一邊在襯底基板上的投影之間的距離為1-3μm。
7.根據權利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述第一開口圖形的任意一邊與所述第二開口圖形中相平行的一邊在襯底基板上的投影之間的距離為1.5μm。
8.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述公共電極為面狀電極或狹縫狀電極;
所述狹縫狀電極的狹縫在公共電極上的分布區域與所述子像素區域中除TFT之外的區域相對應。
9.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括位于所述子像素區域的像素電極,所述像素電極位于所述公共電極的下方與所述公共電極相絕緣,所述像素電極為狹縫狀電極。
10.一種液晶顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1-9任一權項所述的陣列基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





