[實(shí)用新型]一種磁粉探傷儀電源處理電路和磁粉探傷儀有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201420214669.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-04-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203851032U | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-09-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 汪月銀 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市神視檢驗(yàn)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H02M3/335 | 分類號(hào): | H02M3/335;H02M7/5387;H02M3/155;G01N27/84 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 鄧猛烈;胡彬 |
| 地址: | 518054 廣東省深圳市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 探傷 電源 處理 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及磁粉探傷設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種磁粉探傷儀電源處理電路和磁粉探傷儀。
背景技術(shù)
目前市場(chǎng)上的磁粉探傷儀,主要分為交流磁粉探傷儀和直流磁粉探傷儀兩種。交流磁粉探傷儀一般產(chǎn)生50HZ交流磁場(chǎng),用于檢測(cè)工件表面和近表面的缺陷,對(duì)工件深埋缺陷的檢測(cè)能力比較弱。直流磁粉探傷儀一般產(chǎn)生直流磁場(chǎng),用于檢測(cè)工件的深埋缺陷,對(duì)工件表面和近表面缺陷的檢測(cè)能力比較弱。所以,若要對(duì)一工件進(jìn)行全面檢測(cè),常常需要用交流磁粉探傷儀檢測(cè)一遍工件表面和近表面的缺陷,再用直流磁粉探傷儀檢測(cè)一遍工件深埋的缺陷,導(dǎo)致整個(gè)探傷檢測(cè)的周期長(zhǎng)且操作繁瑣。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提出一種磁粉探傷儀電源處理電路和磁粉探傷儀,集成了直流和交流兩種探傷工作模式,可在不更換探傷儀的前提下對(duì)工件進(jìn)行表面缺陷、近表面缺陷和深埋缺陷的全面檢測(cè),操作簡(jiǎn)單且使用方便。
為達(dá)此目的,本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:
第一方面,提供一種磁粉探傷儀電源處理電路,包括升壓電路、控制電路和H橋電路,所述控制電路和H橋電路連接,所述H橋電路還和升壓電路連接,所述控制電路控制H橋電路的輸出波形,以便H橋電路輸出0~60Hz的電壓頻率信號(hào)。
其中,所述電壓頻率信號(hào)包括直流電壓頻率信號(hào)、交流定頻電壓頻率信號(hào)和15~50Hz交流掃頻電壓頻率信號(hào)。
其中,所述升壓電路包括SG2525AP芯片U1,所述SG2525AP芯片U1上設(shè)置有第1管腳、第2管腳、第3管腳、第4管腳、第5管腳、第6管腳、第7管腳、第8管腳、第9管腳、第10管腳、第11管腳、第12管腳、第13管腳、第14管腳、第15管腳和第16管腳;
所述第1管腳的第一路依次通過(guò)電阻R10和電容C7連接第9管腳,所述第1管腳的第二路通過(guò)電容C13接地,所述第1管腳的第三路連接電阻R19的一端的第一路,所述第2管腳的第一路通過(guò)電阻R17接地,所述第2管腳的第二路連接電阻R14的一端,所述第3管腳懸空,所述第4管腳懸空,所述第5管腳的第一路通過(guò)電容C12接地,所述第5管腳第二路通過(guò)電阻R16連接第7管腳,所述第6管腳通過(guò)電阻R13接地,所述第8管腳通過(guò)電容C11接地,所述第10管腳的第一路通過(guò)電阻R1接地,所述第10管腳的第二路通過(guò)電容C1接地,所述第10管腳的第三路通過(guò)電阻R2連接SHD端,所述第11管腳的第一路連接電阻R11的一端,所述第11管腳的第二路連接電阻R12的一端,所述第12管腳接地,所述第13管腳的第一路連接電源BAT+端,所述第13管腳的第二路通過(guò)電容C4接地,所述第13管腳的第三路通過(guò)電容C5接地,所述第14管腳的第一路連接電阻R3的一端,所述第14管腳的第二路連接電阻R4的一端,所述第15管腳連接電源BAT+端,所述第16管腳連接電阻R14的另一端的第一路;
電阻R14的另一端的第二路通過(guò)電容C9接地,電阻R14的另一端的第三路通過(guò)電容C10接地,所述電阻R11的另一端的第一路連接IRF3205ZS型的MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的柵極,所述電阻R11的另一端的第二路連接電阻R8的一端,電阻R8的另一端接地,MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極的第一路連接IRF3205ZS型的MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q4的漏極,MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極的第二路連接電容C8的一端,MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極的第三路連接變壓器的第一電壓輸入端,MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q3的源極接地,所述電阻R12的另一端的第一路連接MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q4的柵極,所述電阻R12的另一端的第二路連接電阻R9的一端,電阻R9的另一端接地,MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q4的源極接地,所述電阻R3的另一端的第一路連接IRF3205ZS型的MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q1的柵極,所述電阻R3的另一端的第二路連接電阻R5的一端,電阻R5的另一端接地,MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q1的漏極的第一路連接IRF3205ZS型的MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極,MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q1的漏極的第二路連接電阻R7的一端,MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q1的漏極的第三路連接變壓器的第二電壓輸入端,MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q1的源極接地,所述電阻R4的另一端的第一路連接MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極,所述電阻R4的另一端的第二路連接電阻R6的一端,電阻R6的另一端接地,MOS場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極接地,電阻R7的另一端和電容C8的另一端連接;
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- 專利分類
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉(zhuǎn)換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設(shè)備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉(zhuǎn)換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M3-00 直流功率輸入變換為直流功率輸出
H02M3-02 .沒(méi)有中間變換為交流的
H02M3-22 .帶有中間變換為交流的
H02M3-24 ..用靜態(tài)變換器的
H02M3-34 ..用動(dòng)態(tài)變換器的
H02M3-44 ..由靜態(tài)變換器與動(dòng)態(tài)變換器組合的;由機(jī)電變換器與另一動(dòng)態(tài)變換器或靜態(tài)變換器組合的





